解説
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酸化ガリウムの課題の第３回，第４回をアップ
残る２回で、pn接合ができない場合の耐圧構造を考えます。第3回は、ショットキー接合で耐圧を持たせられるかどうか。第4回は、実際の酸化ガリウムデバイスで使われているMIS接合を論じます。 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (2)
〜 p型Ga2O3 〜ここからはp型の問題に話を絞る。前コラムのn型ドリフト層の電界分布の議論は、pn接合があることが前提となっている。n型ドリフト層の反対側には高濃度のp型層があり、p型層側にも空乏層が拡がる。n型半導体… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (1)
〜 Ga2O3の魅力 〜近年、SiCやGaNを超える次々世代のパワー半導体材料候補として、酸化ガリウム（Ga2O3）が注目されている。最近の応用物理学会誌2021年5月号にNICTの東脇正高氏の解説が掲載された。また、IEE… 続きを読む →
