解説
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (2)
〜 PN接合への転位の影響２ 〜前回の” 4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 その１”では、SiCパワーデバイスに影響を及ぼす転位の効果について、MOS構造での絶縁破壊の効果と、PN接合構造を持つデバイスの逆バイアス時のキ… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (1)
〜 MOS構造絶縁破壊、PN接合への転位の影響１ 〜よく知られているように4H-SiCウエハには転位と呼ばれる線状の格子欠陥をある程度の密度で含んでいます。SiCパワーデバイス研究開始当時はまだSiC結晶中に含まれている転位がパワーデバイスへ及ぼす影響… 続きを読む →
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SiCのFinFET
5/30～6/3にリモート開催されたISPSD2021では、SiCのFinFETがひとつのトピックだった。今日のコラムでは、SiCパワーデバイスにおけるFinFETの意味を考えてみよう。 FinF… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (4)
〜 p型Ga2O3の回避策：MIS接合 〜半導体上に絶縁膜、金属電極を積層したMIS接合は、電界集中を緩和するフィールドプレート構造としてパワーデバイスで広く用いられている。空乏層のドナーから出る電気力線は絶縁膜を通り抜けて金属電極の電子が受… 続きを読む →
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酸化ガリウムの課題の第３回，第４回をアップ
残る２回で、pn接合ができない場合の耐圧構造を考えます。第3回は、ショットキー接合で耐圧を持たせられるかどうか。第4回は、実際の酸化ガリウムデバイスで使われているMIS接合を論じます。 続きを読む →
