解説
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (2)
〜 局所的な3C-SiCの成長 〜“その(1)”では転位や積層欠陥がエピ層表面で終端している場所のSEM像を紹介しました。”その(1)”で述べたように、六方晶の結晶構造を持つ4H-SiCのエピ層中に何らかの理由で局所的に立方晶構造の3… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (1)
〜 転位や積層欠陥のエピ層表面終端部の凹凸の観察 〜はじめに 簡単な結晶構造を持つSiでは、欠陥のない綺麗なエピタキシー層の成長が達成されていて、Siのデバイス構造はこの問題のないエピタキシー成長層に作りつけられています。しかしながら、結晶構造がほんの… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (4)
〜 4H-SiCの逆格子点の逆格子空間中の配置 〜透過型電子顕微鏡法や、X線トポグラフ法などを用いて、結晶中の転位や、積層欠陥などの素性を調べる際に、回折を起こす反射を変えながら欠陥のコントラストの変化を観察する手法、g・b 解析あるいはg… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (3)
〜 ショックレー型とフランク型積層欠陥の区別 〜“4H-SiCの積層欠陥(１)”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について、そのショックレー型積層欠陥がいくつかに分類されることを述べました。“4H-SiCの積層欠陥(2)”ではショックレ… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (2)
〜 多層枚ショックレー型積層欠陥 〜“4H-SiCの積層欠陥(１)”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について、そのショックレー型積層欠陥がいくつかに分類されることを述べまました。“その２”ではショックレー型積層欠陥が複数枚… 続きを読む →
