解説
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放射光トポグラフ法の利用 (4)
〜 転位の観察の条件 〜放射光X線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、半導体結晶中の格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象に書いています。転位の観察と解析について書く前に、4H-SiC… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (3)
〜 4H-SiCの転位の整理 〜
放射光X線トポグラフ法を用いた格子欠陥の観察や解析についての解説文を書くことが目的なのですが、その前段階として、4H-SiCの中にある転位についての知識を簡単に整理しておきます。前回のその(2)では転… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (2)
〜 4H-SiCの転位の向きとバーガース・ベクトル 〜放射光X線トポグラフ法を用いた4H-SiCの転位の観察と解析について簡単に説明することがこのコラム・解説の記事ですが、その前に4H-SiC結晶中の転位をどう記述するか、色々な転位をどう区別し仕分けする… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (1)
〜 SiCテクノロジーの中での放射光X線トポグラフ法の位置づけ 〜はじめに 「SiC待ったなし、EV大競争で需要爆発」との多少煽り気味の見出しが付けられた日経エレクトロニクス誌2022年9月号では、車載用のSiCインバーターの大量生産時代到来の予測について特集されて… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (4)
〜 SiCエピタキシー層中のキャロット状欠陥の構造 〜前回まで エピ層成長中に生成する欠陥やエピ層膜表面で観察される欠陥のSEM像の紹介を行いました。今回”その(4)“でエピ層欠陥のSEM像紹介のシリーズは終了です。今回は、キャロットと呼ばれている特殊な… 続きを読む →
