この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。前回まで、放射光ベルクバレットX線トポグラフ法で、4H-SiCウエハ中の基底面転位が、どのようなコントラストを示すか… 続きを読む →

放射光ベルク・バレットX線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象にしています。知恵を使ってトポグラフ像を読み解く簡単な手口を… 続きを読む →

放射光ベルク・バレットX線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、格子欠陥の評価解析に興味を持つ人を対象に書いています。前回のその(4)では、g=1128の回折… 続きを読む →

日本の半導体復活を目指す動きが湧き上がり、業界が色々とかまびすしい。経産省の肝入りで昨年設立されたRapidusは、「2nmノードのLSI」の製造を目指すと言っている。2nmノードのトランジスタとはど… 続きを読む →

放射光X線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、半導体結晶中の格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象に書いています。転位の観察と解析について書く前に、4H-SiC… 続きを読む →