解説
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高圧直流送電時代を支えるパワー半導体 (1)
〜 最大損失とスイッチング容量 〜高圧直流送電 (HVDC) がニュースなどで話題にのぼるようになってきた。ひとつは、大規模洋上風力発電所と陸上の電力系統を海底ケーブルで結ぶ直流送電に関して、もうひとつは、再生可能エネルギーの主力供… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (10)
〜 潜傷の観察 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。放射光X線トポグラフ法で4H-SiCの格子欠陥がどのように観察されるかについての解説は、今回が最後の連載記… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (9)
〜 フランク型積層欠陥について 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。前回は、4H-SiC中のショックレー型部分転位と、ショックレー型積層欠陥のコントラストについて記述し、ショ… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (8)
〜 積層欠陥のコントラストルールとステルスな積層欠陥 〜この連載記事は、半導体の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。前回から引き続き、4H-SiC中のショックレー型部分転位と、ショックレー型積層欠陥のコントラストについて説明… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (7)
〜 ショックレー型積層欠陥、積層欠陥の変位ベクトルR 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。前回まで、放射光ベルクバレットX線トポグラフ法で、4H-SiCウエハ中の基底面転位が、どのようなコントラストを示すか… 続きを読む →