連載(1)では、半導体チップの消費電力の面から、HVDC用途のMMCに使用するパワー半導体デバイスを考察した。議論の鍵となっていたのが、半導体チップから取り出せる最大熱流束である。「市販品の設計上の… 続きを読む →

　本稿では、パワーMOSFETのドリフト層設計の最適化について考える。おおかたのパワー半導体デバイスの解説では、p+n–接合のn–ドリフト層側に広がる空乏層の電界分布の図を使っ… 続きを読む →

4H-SiCと2H-GaNのフランク型積層欠陥とフランク型部分転位の構造を理解するために、長々と考察しました。フランク型積層欠陥を、欠損したフランク型積層欠陥と余剰なフランク型積層欠陥と2種類に分類し… 続きを読む →

はじめに 連載のその(6)ではショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥の積層構造について考察しました。ショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥を純粋な余剰フランク型積層欠陥と呼ぶことにします。… 続きを読む →

はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に書いています。前回までは、4H-SiCの結晶で欠損したフランク型積層欠陥の場合について考察しました。今回は、四面体層が1層、… 続きを読む →