放射光トポグラフ法の連載((10)をアップロードしました。かつていろいろと議論されたSiCエピウエハ表面の潜傷の問題について放射光トポグラフ法で観察した例について解説しました。放射光トポグラフ法についてはこの連載(10)で終了です。ご精読ありがとうございます。
〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜
Innovative Semiconductors, Electronics, & Energy Solutions
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図2-4 FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。
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