アイシーソルーションズ, LLP

3月14~17日に開催された、2025年春の応用物理学会学術講演会で入手した情報から、「2nmノードの半導体を考えた」の内容をアップデートしました。2nmノードでFinFETからナノシートFETへ変わります。その際、単体FETの性能はあまり向上しないけれど、極薄チャネル作製プロセスがリソグラフィーからエピタキシャル成長へ変更されたことでFETのVthの統計的ばらつきが小さくなり、それがLSIの性能向上をにつながることを追記しました。