〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜
Innovative Semiconductors, Electronics, & Energy Solutions
カテゴリー一覧
タグ一覧
コラム 解説
アーカイブ
松畑洋文
4H-SiCのウエハ、エピ層、パワーデバイス中の格子欠陥を放射光X線トポグラフで観察することについての解説記事を連載で書いています。連載その(2)を投稿しました。興味がある方は読んでみてください。
図2-4 FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。
これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。これはポップアップウインドウのテストです。