アイシーソルーションズ, LLP

4H-SiCウエハのエピタキシー層の表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察すると、エピ欠陥と呼ばれている色々な欠陥を観察することができます。エピ欠陥は4H-SiCパワーデバイスの歩留まりに大きな影響を与えます。これらのエピ欠陥の密度は年々減少傾向にはありますが、現在でもある程度の密度で観察することができます。色々なエピ欠陥のSEM像を4回に分けてコラム・解説記事に示します。