アイシーソルーションズ, LLP

4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開しています。”その2”では「転位密度がPN接合構造素子に及ぼす影響」と4H-SiCパワーデバイス特有の問題「順方向特性劣化」とその回避策の話をまとめました。ご覧ください。