4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開します。２回に分けて順次公開します。
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4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開します。２回に分けて順次公開します。
図2-4 FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。
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