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坂本邦博
SiCパワーデバイスでも話題になっているFinFETのメリットをコラム・解説記事に掲載しました。
図2-4 FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。
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