〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜
Innovative Semiconductors, Electronics, & Energy Solutions
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坂本邦博
残る2回で、pn接合ができない場合の耐圧構造を考えます。第3回は、ショットキー接合で耐圧を持たせられるかどうか。第4回は、実際の酸化ガリウムデバイスで使われているMIS接合を論じます。
図2-4 FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。
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