本連載記事では、現在までに実用化された或いは実用化に向けて研究開発が進行中の半導体材料間の共通性や相違点を、特に結晶の対称性（平行移動や回転操作で結晶全体が重なるかどうか）、並びにエピタキシャル成長を軸とした結晶成長に伴う結晶欠陥発生の観点から独自の視点も含めて議論して来た。
今までの第１回、第２回、第３回の記事で、結晶対称性と結晶欠陥制御の問題意識、立方晶の半導体材料、及び六方晶の半導体材料のエピタキシャル成長における結晶欠陥発生を結晶対称性の観点から紹介したが、今回の第4回記事では三方晶その他の半導体材料に関して同様の議論を進める。最後に結晶対称性の観点から各半導体材料を包括的に比較し、”結晶工学”の将来に向けた役割も含めてまとめとしたい。
