半導体結晶を人為的に作成しようとすると、結晶欠陥が発生して結晶の対称性が崩れる現象が頻繁に起こる。そしてそれらの半導体結晶をもとにして作製される半導体デバイスの理想的特性がしばしば損なわれている。本連載記事では、現在までに実用化された或いは実用化に向けて研究開発が進行中の半導体材料間の共通性や相違点を、特に結晶の対称性（平行移動や回転操作で結晶全体が重なるかどうか）、並びにエピタキシャル成長を軸とした結晶成長に伴う結晶欠陥発生の観点から独自の視点も含めて比較していく。
連載第１回の記事では、半導体結晶成長技術の重要性と半導体材料の歴史的変遷について触れた後、半導体結晶の対称性と結晶欠陥発生に関係する問題意識を一般的な立場から紹介した。今回は連載第２回としてシリコン（Si）やガリウム砒素（GaAs）に代表される立方晶の半導体材料のエピタキシャル成長における結晶欠陥発生を結晶対称性の観点から紹介する。
