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コラム 解説

増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(10)をアップロードしました。

REDG効果によってnドリフト層中に存在する基底面転位から、積層欠陥がどのように生成するのかを考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、どのような素性の基底面転位が積層欠陥の原因かは推察できます。基底面転位の素性がわかれば、プロセスの改良可能かもしれません。界面転位と貫通刃状転位の交差によってnドリフト層中に短い基底面転位が形成されます。連載(10)のこの回は、これらの交差によって発生する短い基底面転位からどのような形状の積層欠陥が生成するかを考察しました。

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