アイシーソルーションズ, LLP

増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の4回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCでの基底面転位の構造について、連載(3)では整理しました。連載(4)ではb=1/3[1120], b=1/3[1120]の基底面らせん転位と基底面Siコア刃状転位からどのような形状の積層欠陥が成長するのかについて整理します。これらの知識は、順方向特性劣化を起こした際に観察される積層欠陥の形状から特性劣化の原因となる基底面転位の素性を考察する上で必要になるので、この回で整理します。