増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の3回目をアップロードしました。
この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCの基底面転位についての説明を連載(1)-(3)でしています。Siコア30度部分転位がどういう状態の時に現れるのかを基底面転位ループを使って連載(2)では説明しました。連載(3)では6つの異なる方向を向くバーガース・ベクトルの場合、4つの異なるすべり面上での場合での、基底面転位ループの構造を整理します。これらの整理された知識はREDG効果で出現する積層欠陥の形状を考察する際に使う知識です。
