4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれていることがあります。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思います。4H-SiCの四面体層が1層欠損した状態で、ショックレー変位が無い状態を考察してみました。
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図2-4 FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。
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