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〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜

Innovative Semiconductors, Electronics, & Energy Solutions

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コラム･解説 記事リスト

本組合の活動に関係するコラムや解説です。

  1. 酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (2021-06-23)
    1. Ga2O3の魅力 (2021-06-23 完)
    2. p型Ga2O3 (2021-06-25 完)
    3. p型Ga2O3の回避策：ショットキー接合 (2021-06-28 完)
    4. p型Ga2O3の回避策：MIS接合 (2021-06-28 完)
  2.  ■ SiCのFinFET (2021-08-04 完)
  3. 4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (2021-09-15)
    1. MOS構造絶縁破壊、PN接合への転位の影響１ (2021-09-15 完)
    2. PN接合への転位の影響２ (2021-10-06 完)
  4. 4H-SiCウェハに及ぼす転位の影響 (2021-10-31)
    1. SiCウェハの変形 (2021-10-31 完)
    2. 潜傷について (2021-11-02 完)
  5. 半導体Marxパルス電源 (2021-11-20)
    1. 超高耐圧SiC MOSFETの新しい応用 (2021-11-20 完)
    2. 回路動作の詳細 (2021-11-20 完)
    3. 半導体素子の選択指針 (2021-11-20 完)
  6. R&Dロードマップについての一考察 (2021-12-24)
    1. 標準的ロードマップの解釈上での問題点 (2021-12-24 完)
    2. 技術成熟度と技術世代 (2022-01-20 完)
    3. 実用化に向けた技術成熟度の意味 (2022-02-07 完)
    4. 技術の分解･統合と技術階層 (2022-03-29 完)
    5. ４元ロードマップ (2022-04-05 完)
  7. 4H-SiCの積層欠陥について (2021-12-26)
    1. 1枚のショックレー型積層欠陥 (2021-12-26 完)
    2. 多層枚ショックレー型積層欠陥 (2021-12-26 完)
    3. ショックレー型とフランク型積層欠陥の区別 (2021-12-29 完)
    4. 4H-SiCの逆格子点の逆格子空間中の配置 (2021-12-29 完)
  8. SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (2022-01-16)
    1. 転位や積層欠陥のエピ層表面終端部の凹凸の観察 (2022-01-16 完)
    2. 局所的な3C-SiCの成長 (2022-01-16 完)
    3. 鈍角三角形欠陥、マイクロピット、マイクロパイプ (2022-01-27 完)
    4. SiCエピタキシー層中のキャロット状欠陥の構造 (2022-01-27 完)
  9.  ■ 秘密特許 (2022-06-09 完)
  10.  ■ 重力蓄電 (2022-12-12 完)
  11. 放射光トポグラフ法の利用 (2022-12-25)
    1. SiCテクノロジーの中での放射光X線トポグラフ法の位置づけ (2022-12-25 完)
    2. 4H-SiCの転位の向きとバーガース・ベクトル (2022-12-31 完)
    3. 4H-SiCの転位の整理 (2023-01-31 完)
    4. 転位の観察の条件 (2023-02-01 完)
    5. 4H-SiCの基底面転位の観察 (2023-02-19 完)
    6. 貫通転位の観察 (2023-03-01 完)
    7. ショックレー型積層欠陥、積層欠陥の変位ベクトルR (2023-03-16 完)
    8. 積層欠陥のコントラストルールとステルスな積層欠陥 (2023-04-01 完)
    9. フランク型積層欠陥について (2023-04-17 完)
    10. 潜傷の観察 (2023-05-02 完)
  12.  ■ 牛のゲップと人口80億人 (2022-12-31 完)
  13.  ■ 2nmノードの半導体を考えた (2023-02-10 完)
  14. 高圧直流送電時代を支えるパワー半導体 (2023-05-13)
    1. 最大損失とスイッチング容量 (2023-05-13 完)
    2. データシートから放熱特性を読み解く (2024-11-11 完)
  15. 「キロワット」と「キロワット時」 (2023-05-31)
    1. これらの単位で示される量について (2023-05-31 完)
    2. いろいろな例で考える (2023-07-21 完)
    3. 設備利用率で考える (2023-09-23 完)
    4. 電力エネルギーの収支アンバランスが何をもたらすか (2024-04-19 完)
  16. SiCのフランク型積層欠陥 (2023-08-01)
    1. SiCの掟 (2023-08-01 完)
    2. ショックレー型積層欠陥の記述について (2023-08-16 完)
    3. 4H-SiCの欠損したフランク型積層欠陥 (2023-09-04 完)
    4. ショックレー変位を伴う欠損したフランク型積層欠陥1 (2023-09-25 完)
    5. ショックレー変位を伴う欠損したフランク型部分転位の構造2 (2023-10-15 完)
    6. ショックレー変位を伴わない余剰のフランク型積層欠陥 (2023-11-03 完)
    7. ショックレー変位を伴う余剰フランク型積層欠陥 (2023-11-18 完)
    8. 2H-GaNのフランク型積層欠陥との比較 (2023-12-02 完)
    9. 実験結果との比較とまとめ (2024-01-14 完)
  17. 増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (2024-02-01)
    1. 4H-SiCの結晶構造と基底面転位の分解 (2024-02-01 完)
    2. 基底面転位ループの構造 (2024-02-20 完)
    3. 基底面転位ループのバリエーション (2024-03-01 完)
    4. 基底面転位からのショックレー型積層欠陥の湧き出し1 (2024-03-17 完)
    5. 基底面転位からのショックレー型積層欠陥の湧き出し2 (2024-04-01 完)
    6. 4H-SiCのMOSFET中の転位組織 1 (2024-04-15 完)
    7. 4H-SiCのMOSFET中の転位組織2 (2024-05-01 完)
    8. 基板から受け継がれる基底面転位が原因になる積層欠陥の生成 (2024-05-15 完)
    9. 界面転位、U字状転位、貫通刃状転位の折れ曲がりから生成する積層欠陥の成長 (2024-06-03 完)
    10. 界面転位と貫通刃状転位との交差 (2024-06-15 完)
    11. n-ドリフト層の上部から侵入する格子欠陥、側面から侵入する格子欠陥 (2024-07-07 完)
    12. まとめ (2024-07-17 完)
  18.  ■ パワーMOSFETのドリフト層設計 (2024-08-17 完)
  19. 対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (2024-10-07)
    1. 結晶対称性と結晶欠陥の発生 (2024-10-07 完)
    2. 面心立方構造の半導体結晶の特徴 (2024-10-20 完)
    3. 最密六方構造の半導体結晶の特徴 (2024-10-25 完)
    4. 三方晶他の半導体結晶の特徴 (2024-11-01 完)
  20.  ■ 結晶学のトリビア
    〜 積層構造としての面心立方構造と最密六方構造 〜 (2025-02-22 完)
  21. 4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (2025-03-11)
    1. SiCウエハ研磨の素過程 (2025-03-11 完)
    2. 2段研磨の最適解についての考察 (2025-04-01 完)

今後の掲載予定

  • 4H-SiCウエハの加工研磨工程について
    • SiCウエハ研磨の素過程
    • 2段研磨の最速解についての考察
    • 3段研磨の最速解
    • 4段加⼯研磨の最速解
    • 5段加⼯研磨の最速解
  • 結晶学のトリビア　〜 面心立方構造と最密六方構造 〜

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