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コラム記事･解説記事

本組合の活動に関係するコラムや解説です。

１．酸化ガリウムパワーデバイスの課題（2021.6.28 完）
  1. Ga2O3の魅力 (2021.6.23)
  2. p型Ga2O3 (2021.6.25)
  3. p型Ga2O3の回避策：ショットキー接合 (2021.6.28)
  4. p型Ga2O3の回避策：MIS接合 (2021.6.28)
３．4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響（2021.10.6 完）
  1. MOS構造絶縁破壊、PN接合への転位の影響１ (2021.9.15)
  2. PN接合への転位の影響２ (2021.10.6)
４．4H-SiCウェハに及ぼす転位の影響（2021.11.2 完）
  1. SiCウエハの変形 (2021.10.31)
  2. 潜傷について (2021.11.2)
５．半導体Marxパルス電源（2021.11.20 完）
  1. Introduction (2021.11.20)
  2. 回路動作の詳細 (2021.11.20)
  3. 半導体素子の選択指針 (2021.11.20)
６．R&Dロードマップについての一考察（2022.4.5 完）
  1. 標準的ロードマップの解釈上での問題点 (2021.12.24)
  2. 技術成熟度と技術世代 (2022.1.20)
  3. 実用化に向けた技術成熟度の意味 (2022.2.7)
  4. 技術の分解･統合と技術階層（2022.3.29）
  5. ４元ロードマップ（2022.4.5）
７．4H-SiCの積層欠陥について（2021.12.29 完）
  1. 1枚のショックレー型積層欠陥 (2021.12.26)
  2. 多層枚ショックレー型積層欠陥 (2021.12.26)
  3. ショックレー型とフランク型積層欠陥の区別 (2021.12.29)
  4. 4H-SiCの逆格子点の逆格子空間中の配置 (2021.12.29)
８．SEMで観察されるエピタキシー層中と表面の各種欠陥（2022.1.27 完）
  1. 転位や積層欠陥のエピ層表面終端部の凹凸の観察 (2022.1.16)
  2. 局所的な3C-SiCの成長 (2022.1.16)
  3. 鈍角三角形欠陥、マイクロピット、マイクロパイプ (2022.1.27)
  4. SiCエピタキシー層中のキャロット状欠陥の構造 (2022.1.27)
１１．4H-SiCの格子欠陥の放射光X線トポグラフ法による観察（執筆中）
  1. SiCテクノロジーの中での放射光X線トポグラフ法の位置づけ (2022.12.18)
  2. 4H-SiC結晶中に含まれる転位について (2022.12.17)
  3. 観察可能な条件
  4. 基底面転位の観察
  5. 貫通転位の観察
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