月: 2025年3月
-
4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (1)をアップロードしました。
近年、SiC単結晶を切り出してウエハの形に成形し、エピ層成長のために表面を研磨する装置は高性能化しています。これらの装置は、より高速化、大口径化、高精度化を目指していると思います。今回、これらの高性能… 続きを読む →
-
4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (1)
〜 SiCウエハ研磨の素過程 〜1-1. はじめに SiCは非常に硬い物質として知られ、容易に手に入る物質としては、ダイアモンドに次ぐ硬さだと認識されていています。このように硬い4H-SiC単結晶を切断し、ウエハの形状に成形し、表面… 続きを読む →
