年: 2025年
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「酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (5)」をアップロード
この連載を一旦完結してから４年が過ぎました。その後をフォローする、「連載(5) 〜その後の展開とGa2O3の有望な用途〜」をアップロードしました。連載(4)上梓後の、Ga2O3パワー半導体の研究の進展… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (5)
〜 その後の展開とGa2O3の有望な用途 〜この連載を掲載してから４年が過ぎた。連載のきっかけになった 応用物理 2021年5月号の解説記事を執筆した東脇正高さんが、IEEE Electron Device Magazine 2024年12月… 続きを読む →
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4H-SiCウエハの加工研磨の最適化(3)をアップロードしました。
高価な4H-SiCウエハの加工研磨について、簡単なモデルを用いて定性的な議論及び考察を連載で行っています。ウエハの3段工程での、全加工研磨時間と消耗品費について考察しました。ウエハの加工研磨工程の最適… 続きを読む →
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4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (3)
〜 3段研磨の最適解 〜3-1. はじめに この記事はSiCウエハの加工・研磨に興味を持つ人を対象に書いています。SiCウエハの切断・研磨工程の統合化された最適条件について考察しています。前回の連載の(2)では、2段研磨の最… 続きを読む →
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4H-SiCウエハの加工研磨の最適化(2)をアップロードしました。
4H-SiCウエハの加工研磨工程について連載で考察しています。高性能化した加工研磨装置の使い方の組み合わせについての考察です。連載(2)では2段研磨工程での運用の最適化について簡単なモデルで議論しまし… 続きを読む →
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4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (2)
〜 2段研磨の最適解についての考察 〜2-1. はじめに SiCウエハの加工研磨工程を統合化した場合の、最適の組み合わせについて考察しています。前回の説明では、2段研磨での、最適条件を導きました。そして、2段研磨についての考察の途中で話が… 続きを読む →
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「2nmノードの半導体を考えた」をアップデート
3月14~17日に開催された、2025年春の応用物理学会学術講演会で入手した情報から、「2nmノードの半導体を考えた」の内容をアップデートしました。2nmノードでFinFETからナノシートFETへ変わ… 続きを読む →
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4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (1)をアップロードしました。
近年、SiC単結晶を切り出してウエハの形に成形し、エピ層成長のために表面を研磨する装置は高性能化しています。これらの装置は、より高速化、大口径化、高精度化を目指していると思います。今回、これらの高性能… 続きを読む →
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4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (1)
〜 SiCウエハ研磨の素過程 〜1-1. はじめに SiCは非常に硬い物質として知られ、容易に手に入る物質としては、ダイアモンドに次ぐ硬さだと認識されていています。このように硬い4H-SiC単結晶を切断し、ウエハの形状に成形し、表面… 続きを読む →
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結晶学のトリビア
〜 積層構造としての面心立方構造と最密六方構造 〜半導体結晶の結晶構造を吟味する時、頻繁に登場する概念が面心立方（FCC）構造と六方最密（HCP）構造である。先にアップした“対称性から観た半導体結晶成長の進展”の記事の中でも紹介したように、立方晶結… 続きを読む →
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結晶学のトリビア 〜 積層構造としての面心立方構造と最密六方構造 〜 をアップロード
世の中の技術系の教科書には、取り扱う領域を体系的に系統立てて解説していくものが多い。その際、主題に沿った多くの箇所で言及されはするが、独立した主題としては扱われにくいトピックスがしばしば見られる。当… 続きを読む →
