パワー半導体デバイスの解説では、pn接合のn–ドリフト層側に広がる空乏層の電界分布の図を使って、最大電界と空乏層濃度と耐圧の関係を説明する。空乏層がn–ドリフト層内に止まることを前提としたノンパンチス… 続きを読む →