月: 2024年7月
-
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(12)をアップロードしました。
SiCのMOSFETを利用していると、on抵抗が増加していく現象が観察されることがあります。これは、利用中にSiC-MOSFETのn–ドリフト層中で、たくさんのショックレー型積層欠陥が成長… 続きを読む →
-
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (12)
〜 まとめ 〜はじめに Siデバイスの場合、元々のSiウエハ中には転位や積層欠陥などの格子欠陥がほとんど存在していないため、それらを気にすることなくデバイスの作製や利用が可能です。4H-SiCデバイスの場合、SiC… 続きを読む →
-
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(11)をアップロードしました。
REDG効果によって、成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の素性がわかります。基底面転位の素性がわかれば、デバイスプロセスの改良が可能かもしれません。連載(11)では、n&… 続きを読む →
-
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (11)
〜 n-ドリフト層の上部から侵入する格子欠陥、側面から侵入する格子欠陥 〜はじめに REDG効果によって、n–ドリフト層中の短い基底面転位から積層欠陥が成長する話を連載(8)以降で考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の… 続きを読む →
