月: 2024年4月
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「キロワット」と「キロワット時」第4回をアップしました。
「キロワット」と「キロワット時」第4回（最終回）をアップしました。今回の主眼は瞬時電力（キロワット）に対する根本要求である「発電電力＝消費電力」に関するもので、その要求が崩れると電力システムの中で具体… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」 (4)
〜 電力エネルギーの収支アンバランスが何をもたらすか 〜この連載では、昨今世間で議論になる電力エネルギーの過不足に関する話題を取り上げ、kWとkWhの混同に起因する誤解を紹介してきた。その前提として、電力というものは基本的に貯蔵することが出来ず（大規模電… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(6)をアップロードしました。
“増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化”の連載の6回目をアップロードしました。前回までの連載では、基底面転位のバーガース・ベクトル、基底面転位が存在している四面体層、… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (6)
〜 4H-SiCのMOSFET中の転位組織 1 〜はじめに 4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を繰り返すと、on抵抗が増大する現象、”特性劣化”が発生することがあります。特性劣化を起こしたデバイスを放射光トポグラフ法や、顕微PL法… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(5)をアップロードしました。
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の5回目をアップロードしました。連載のこの回では、それぞれ6つの異なるバーガース・ベクトルを持つ基底面転位が、2種類の異なるすべり面上にある場合、そ… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (5)
〜 基底面転位からのショックレー型積層欠陥の湧き出し2 〜はじめに 4H-SiCのMOSFETのon-offを繰り返していくと発生することがある特性劣化現象に興味を持っている研究者を想定して、この解説の連載を書いています。この現象は特に4H-SiCの格子欠陥… 続きを読む →
