年: 2023年
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SiCのフランク型積層欠陥連載(8)をアップロードしました。
前回まで、4H-SiCの基板やエピ層中に含まれるフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥の構造について考察しました。今回は4H-SiCの結晶構造とよく似た2H-GaN中のフランク型積層欠陥の構造を考察… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (8)
〜 2H-GaNのフランク型積層欠陥との比較 〜はじめに 連載の“その(7)”まで、4H-SiCのフランク型の積層欠陥の構造について考察しました。連載(8)では結晶構造が似ている2H-GaNのフランク型積層欠陥とフランク型部分転位の構造について考察… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(7)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察しています。前回は、四面体層１層が余剰に挿入され、さらにショ… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (7)
〜 ショックレー変位を伴う余剰フランク型積層欠陥 〜はじめに 連載のその(6)ではショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥の積層構造について考察しました。ショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥を純粋な余剰フランク型積層欠陥と呼ぶことにします。… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(6)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察しています。今回は、四面体層１層が余剰に挿入されたフランク型… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (6)
〜 ショックレー変位を伴わない余剰のフランク型積層欠陥 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に書いています。前回までは、4H-SiCの結晶で欠損したフランク型積層欠陥の場合について考察しました。今回は、四面体層が1層、… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(5)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察しています。前回はショックレー変位を伴うフランク型積層欠陥を… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (5)
〜 ショックレー変位を伴う欠損したフランク型部分転位の構造2 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に書いています。前回の連載で、ショックレー変位を伴うフランク型積層欠陥を考察しました。この積層欠陥は、純粋なフランク型積層欠陥… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(4)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思います。前回はショックレー変位を伴わない純粋なフラ… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (4)
〜 ショックレー変位を伴う欠損したフランク型積層欠陥1 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして解説を書いています。前回では、4H-SiCの欠損したフランク型積層欠陥とその縁に位置するフランク型部分転位の構造を考察し… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」第3回をアップしました。
“「キロワット」で示されている電力と「キロワット時」で示されているいる電力量を混同してはいけません”、という話の第3回目です。今回は各種発電施設の特徴を「設備利用率」という指標から整理し、「キロワット… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」 (3)
〜 設備利用率で考える 〜地球温暖化についての意識の高まりや、東日本大震災に伴う原子力発電所での事故、電力市場の自由化、などに伴い日本の電力ネットワークに大きな変化が生じています。さらに、ウクライナ情勢に起因するエネルギーの自… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(3)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれていることがあります。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思います。4H-SiCの四面体層が1層欠… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (3)
〜 4H-SiCの欠損したフランク型積層欠陥 〜フランク型積層欠陥とは この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。フランク型積層欠陥の構造について考察し、この積層欠陥の構造について整理することがこの連載の目… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(2)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれていることがあります。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思いますが、その前にショックレー型積層欠… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (2)
〜 ショックレー型積層欠陥の記述について 〜はじめに この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価や4H-SiCの結晶構造に興味を持つ人を対象にして書いています。少し詳細な内容を、冗長な文章で記述しています。 前回の文章では、4H-SiCの基底面… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(1)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥や、バーシェイプ欠陥と呼ばれている欠陥を含んでいる場合があります。これらの格子欠陥は電力素子の歩留まりに影響を与えます。格子欠陥密度の低減はSiCテク… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (1)
〜 SiCの掟 〜4H-SiCのフランク型部分転位、フランク型積層欠陥についての考察への導入 この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。4H-SiCのウエハを放射光X線トポグラフ… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」第2回をアップしました。
知っているようで知らない電力エネルギー。いろいろな誤解があるようです。誤解を解いて理解を深める連載、「キロワット」と「キロワット時」。第2回は、具体的なトピックスを題材にして「キロワット」と「キロワ… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」 (2)
〜 いろいろな例で考える 〜最近の新聞に、「再エネの発電能力、化石燃料に匹敵 世界で5割規模へ」という見出しの記事がありました。 「・・・再生エネの発電能力は24年には全電源の5割規模になるとみられる。ただ火力などに比べて稼働… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」のコラムをアップしました。
昨今、エネルギーの観点から電力に対する関心（或いは将来の懸念点と言ってもいいかもしれませんが）が注目を集めるようになっています。しかしながら、今まで発信された関連情報では、全体的なイメージが先行した… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」 (1)
〜 これらの単位で示される量について 〜地球温暖化に伴う発電施設の脱炭素化に関する記事、夏の電力不足に関する記事、世界的化石燃料の高騰に伴う電力料金の高騰に関する記事など、昨今、ニュースや新聞等で電力に関する記事がよく現れます。 これらの… 続きを読む →
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高圧直流送電時代を支えるパワー半導体 (1)
〜 最大損失とスイッチング容量 〜高圧直流送電 (HVDC) がニュースなどで話題にのぼるようになってきた。ひとつは、大規模洋上風力発電所と陸上の電力系統を海底ケーブルで結ぶ直流送電に関して、もうひとつは、再生可能エネルギーの主力供… 続きを読む →
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「高圧直流送電時代を支えるパワー半導体」をアップロード
再生可能エネルギー大量導入に不可欠な高圧直流送電(HVDC)。ワイドギャップパワー半導体デバイスの高耐圧化が進むなか、HVDCにふさわしいパワー半導体デバイスはなにか？半導体の動作原理に従いつつ可能な… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(10)をアップロードしました
放射光トポグラフ法の連載((10)をアップロードしました。かつていろいろと議論されたSiCエピウエハ表面の潜傷の問題について放射光トポグラフ法で観察した例について解説しました。放射光トポグラフ法につい… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (10)
〜 潜傷の観察 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。放射光X線トポグラフ法で4H-SiCの格子欠陥がどのように観察されるかについての解説は、今回が最後の連載記… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(9)をアップロードしました
放射光トポグラフ法の連載(9)をアップロードしました。フランク型積層欠陥、フランク型部分転位のコントラスト、見え方について解説しました。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (9)
〜 フランク型積層欠陥について 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。前回は、4H-SiC中のショックレー型部分転位と、ショックレー型積層欠陥のコントラストについて記述し、ショ… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(8)をアップロードしました
放射光トポグラフ法(8)の解説記事をアップロードしました。結晶性材料を産業化する際に格子欠陥が問題になる時に使える技術かもしれません。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (8)
〜 積層欠陥のコントラストルールとステルスな積層欠陥 〜この連載記事は、半導体の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。前回から引き続き、4H-SiC中のショックレー型部分転位と、ショックレー型積層欠陥のコントラストについて説明… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(7)をアップロードしました
放射光トポグラフ法の連載(7)を新たにアップロードしました。ショックレー型部分転位、ショックレー型積層欠陥のコントラストについての説明を行いました。SiCの研究等で放射光を利用する際には参考になるかも… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (7)
〜 ショックレー型積層欠陥、積層欠陥の変位ベクトルR 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。前回まで、放射光ベルクバレットX線トポグラフ法で、4H-SiCウエハ中の基底面転位が、どのようなコントラストを示すか… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(6)をアップロードしました
放射光トポグラフ法の連載(6)を新たにアップロードしました。今回は、SiCの貫通転位のコントラストについての解説です。SiCの研究等で放射光を利用する際には参考になるかもしれません。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (6)
〜 貫通転位の観察 〜放射光ベルク・バレットX線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象にしています。知恵を使ってトポグラフ像を読み解く簡単な手口を… 続きを読む →
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ホームページをリニューアルしました。
ホームページの構成をリニューアルしました。フロントページ他の内容を変更し、必要情報にアクセスしやすくなっています。多くのアクセスを期待しています。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (5)
〜 4H-SiCの基底面転位の観察 〜放射光ベルク・バレットX線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、格子欠陥の評価解析に興味を持つ人を対象に書いています。前回のその(4)では、g=1128の回折… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(5)をアップロードしました
放射光を利用したX線トポグラフ法について連載で解説しています。今回は連載の(5)です。4H-SiCの基底面転位のコントラストについて解説しています。4H-SiC以外の物質や他の結晶性材料の産業化の段階… 続きを読む →
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「2nmノードの半導体を考えた」をアップロード
近頃巷を賑わす、2nmノードの半導体について、これまでのSi LSI微細化の流れを振り返りながら、背景にある設計思想を考えてみました。 続きを読む →
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2nmノードの半導体を考えた
日本の半導体復活を目指す動きが湧き上がり、業界が色々とかまびすしい。経産省の肝入りで昨年設立されたRapidusは、「2nmノードのLSI」の製造を目指すと言っている。2nmノードのトランジスタとはど… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(4)をアップロードしました
放射光を用いたX線トポグラフ法についての解説記事の連載その(4)をアップロードしました。低角で表面にX線を入射させ、回折X線を利用して格子欠陥を観察する手法そのものを簡単に説明しました。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (4)
〜 転位の観察の条件 〜放射光X線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、半導体結晶中の格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象に書いています。転位の観察と解析について書く前に、4H-SiC… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(3)をアップロードしました
放射光を使ったX線トポグラフ法は、使う目的によっては利用価値があると思っています。この方法についての解説記事を連載で書いています。格子欠陥の評価に興味があるかたは、読んでいただくとありがたいです。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (3)
〜 4H-SiCの転位の整理 〜放射光X線トポグラフ法を用いた格子欠陥の観察や解析についての解説文を書くことが目的なのですが、その前段階として、4H-SiCの中にある転位についての知識を簡単に整理しておきます。前回のその(2)では転… 続きを読む →
