月: 2022年1月
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (4)
〜 SiCエピタキシー層中のキャロット状欠陥の構造 〜前回まで エピ層成長中に生成する欠陥やエピ層膜表面で観察される欠陥のSEM像の紹介を行いました。今回”その(4)“でエピ層欠陥のSEM像紹介のシリーズは終了です。今回は、キャロットと呼ばれている特殊な… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (3)
〜 鈍角三角形欠陥、マイクロピット、マイクロパイプ 〜“その(1)”では主に格子欠陥がエピ層表面で終端する際に形成される表面モフォロジーについて紹介しました。”その(2)”では、何らかのきっかけで4H-SiCのエピ層成長中に局所的に3C構造を持つエピ欠陥… 続きを読む →
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ホームページデザインを変更
本組合のホームページのデザイン･構成を一部変更致しました。これにより、フロントページ以外のURLが一部変更になったものがあり、記事ページ等に直接リンクを張られている場合には再設定が必要となりますので、… 続きを読む →
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R&Dロードマップの第２回をアップ
「ロードマップ」論の第２弾、「技術成熟度、技術世代」をアップしました。 続きを読む →
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R&Dロードマップについての一考察 (2)
〜 技術成熟度と技術世代 〜「(1) 標準的ロードマップの解釈上での課題」では、世の中で議論されている標準的ロードマップの問題点を指摘し、単純な「特性指標」よりむしろ「技術成熟度」、「技術世代」に注目すべきスタンスを… 続きを読む →
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SiCエピ欠陥のSEM像の記事をアップ
4H-SiCウエハのエピタキシー層の表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察すると、エピ欠陥と呼ばれている色々な欠陥を観察することができます。エピ欠陥は4H-SiCパワーデバイスの歩留まりに大きな影響を… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (2)
〜 局所的な3C-SiCの成長 〜“その(1)”では転位や積層欠陥がエピ層表面で終端している場所のSEM像を紹介しました。”その(1)”で述べたように、六方晶の結晶構造を持つ4H-SiCのエピ層中に何らかの理由で局所的に立方晶構造の3… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (1)
〜 転位や積層欠陥のエピ層表面終端部の凹凸の観察 〜はじめに 簡単な結晶構造を持つSiでは、欠陥のない綺麗なエピタキシー層の成長が達成されていて、Siのデバイス構造はこの問題のないエピタキシー成長層に作りつけられています。しかしながら、結晶構造がほんの… 続きを読む →
