年: 2022年
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牛のゲップと人口80億人をアップロード
歴史に刻まれるであろう2022年の年末に、牛のゲップが地球温暖化をもたらすというニュースからめぐらした想像を書き留めておきました 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (2)
〜 4H-SiCの転位の向きとバーガース・ベクトル 〜放射光X線トポグラフ法を用いた4H-SiCの転位の観察と解析について簡単に説明することがこのコラム・解説の記事ですが、その前に4H-SiC結晶中の転位をどう記述するか、色々な転位をどう区別し仕分けする… 続きを読む →
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牛のゲップと人口80億人
牛のゲップから考える地球温暖化の不都合な真実 先月（2022年11月）はCOP27が開催され、コロナ感染症やウクライナ戦争で影が薄くなっていた地球温暖化問題に久しぶりに光が当たっている。 地球温暖化と… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(2)の解説をアップロードしました
4H-SiCのウエハ、エピ層、パワーデバイス中の格子欠陥を放射光X線トポグラフで観察することについての解説記事を連載で書いています。連載その(2)を投稿しました。興味がある方は読んでみてください。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法についての記事をコラム･解説にアップロードしました
私は2005年から2015年までの10年間、放射光を用いたベルク・バレットX線回折トポグラフ法を用いてSiCのウエハ、エピ層、パワーデバイス中の格子欠陥の解析を行いました。この手法を使ってみて、これは… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (1)
〜 SiCテクノロジーの中での放射光X線トポグラフ法の位置づけ 〜はじめに 「SiC待ったなし、EV大競争で需要爆発」との多少煽り気味の見出しが付けられた日経エレクトロニクス誌2022年9月号では、車載用のSiCインバーターの大量生産時代到来の予測について特集されて… 続きを読む →
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重力蓄電の記事をアップロード
お天気まかせ風まかせの再生可能エネルギーの大量導入にはそれを補完する蓄電設備の整備が欠かせません。廃坑の竪坑を使った蓄電所の可能性を考えた記事をアップロードしました。 続きを読む →
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重力蓄電
地球温暖化対策で、再生可能エネルギーを大量導入して、ゼロエミッションを実現するロードマップが描かれている。必要な再生可能エネルギーを確保するだけでも困難な課題だが、話はそれだけでは済まない。落とし穴が… 続きを読む →
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秘密特許
今回のコラムでは、最近よく耳にする秘密特許を話題として取り上げてみようと思う。 今年の通常国会で、経済安全保障推進法案が成立（5/11）したが、その中の一つに秘密特許制度の創設が含まれている。今後、正… 続きを読む →
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秘密特許の記事をアップ
最近話題の秘密特許について、サブマリーン特許の視点と、知の共有とイノベーションの視点から少し考察してみました。コラム・解説記事に掲載しています。 続きを読む →
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R&Dロードマップの第５回をアップ
「ロードマップ」論の最終回として第５弾、「４元ロードマップ」をアップしました。本記事のまとめとして今まで述べてきた４種の進展軸の相互の関係や表現法がその内容です。 続きを読む →
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R&Dロードマップについての一考察 (5)
〜 ４元ロードマップ 〜本稿の第１回、第２回で、基本的な技術進展としての単一技術の「技術成熟度 vs. 時間」、並びに第３軸としての質的進化を表す「技術世代」を提唱した。更に第４回では、技術統合に向けた… 続きを読む →
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ヘッダー画像改訂
ホームページのヘッダー画像のいくつかを春バージョンに改訂しました。ご覧頂ければ幸いです。 続きを読む →
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R&Dロードマップについての一考察 (4)
〜 技術の分解･統合と技術階層 〜前回の記事においては、従前のロードマップ議論では少々耳慣れない「技術成熟度」の意味を取り上げた。昨今、特に科学技術が複雑化･複合化しているトレンドがあり、今回はその観点から「技術階層」とそのR&am… 続きを読む →
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R&Dロードマップの第４回をアップ
「ロードマップ」論の第４弾、「技術の分解･統合と技術階層」をアップしました。R&Dロードマップの第４の進展軸「技術階層」に関する議論です。 続きを読む →
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R&Dロードマップの第３回をアップ
「ロードマップ」論の第３弾、「実用化に向けた技術成熟度の意味」をアップしました。ポイントは「複数指標の両立」と「最高性能より最頻性能」です。 続きを読む →
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R&Dロードマップについての一考察 (3)
〜 実用化に向けた技術成熟度の意味 〜前回の記事では、R&Dロードマップ検討に必要な「技術成熟度」、「技術世代」を取り上げた。今回は「技術成熟度」の具体的意味を技術実用化の観点から議論する。 技術成熟度として、NASAによる９… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (4)
〜 SiCエピタキシー層中のキャロット状欠陥の構造 〜前回まで エピ層成長中に生成する欠陥やエピ層膜表面で観察される欠陥のSEM像の紹介を行いました。今回”その(4)“でエピ層欠陥のSEM像紹介のシリーズは終了です。今回は、キャロットと呼ばれている特殊な… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (3)
〜 鈍角三角形欠陥、マイクロピット、マイクロパイプ 〜“その(1)”では主に格子欠陥がエピ層表面で終端する際に形成される表面モフォロジーについて紹介しました。”その(2)”では、何らかのきっかけで4H-SiCのエピ層成長中に局所的に3C構造を持つエピ欠陥… 続きを読む →
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ホームページデザインを変更
本組合のホームページのデザイン･構成を一部変更致しました。これにより、フロントページ以外のURLが一部変更になったものがあり、記事ページ等に直接リンクを張られている場合には再設定が必要となりますので、… 続きを読む →
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R&Dロードマップの第２回をアップ
「ロードマップ」論の第２弾、「技術成熟度、技術世代」をアップしました。 続きを読む →
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R&Dロードマップについての一考察 (2)
〜 技術成熟度と技術世代 〜「(1) 標準的ロードマップの解釈上での課題」では、世の中で議論されている標準的ロードマップの問題点を指摘し、単純な「特性指標」よりむしろ「技術成熟度」、「技術世代」に注目すべきスタンスを… 続きを読む →
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SiCエピ欠陥のSEM像の記事をアップ
4H-SiCウエハのエピタキシー層の表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察すると、エピ欠陥と呼ばれている色々な欠陥を観察することができます。エピ欠陥は4H-SiCパワーデバイスの歩留まりに大きな影響を… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (2)
〜 局所的な3C-SiCの成長 〜“その(1)”では転位や積層欠陥がエピ層表面で終端している場所のSEM像を紹介しました。”その(1)”で述べたように、六方晶の結晶構造を持つ4H-SiCのエピ層中に何らかの理由で局所的に立方晶構造の3… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (1)
〜 転位や積層欠陥のエピ層表面終端部の凹凸の観察 〜はじめに 簡単な結晶構造を持つSiでは、欠陥のない綺麗なエピタキシー層の成長が達成されていて、Siのデバイス構造はこの問題のないエピタキシー成長層に作りつけられています。しかしながら、結晶構造がほんの… 続きを読む →
