月: 2021年6月
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (4)
〜 p型Ga2O3の回避策：MIS接合 〜半導体上に絶縁膜、金属電極を積層したMIS接合は、電界集中を緩和するフィールドプレート構造としてパワーデバイスで広く用いられている。空乏層のドナーから出る電気力線は絶縁膜を通り抜けて金属電極の電子が受… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (3)
〜 p型Ga2O3の回避策：ショットキー接合 〜前コラムではGa2O3でpn接合をどう実現するかを見てきた。どうしてもpn接合ができなかったら、Ga2O3パワーデバイスの未来は無いのだろうか。プランBを検討してみる。最初の議論に戻ると、肝要な点は、… 続きを読む →
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酸化ガリウムの課題の第３回，第４回をアップ
残る２回で、pn接合ができない場合の耐圧構造を考えます。第3回は、ショットキー接合で耐圧を持たせられるかどうか。第4回は、実際の酸化ガリウムデバイスで使われているMIS接合を論じます。 続きを読む →
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酸化ガリウムの課題第２回をアップ
第2回は、ユニポーラパワーデバイスにおけるｐ型の役割から、p型酸化ガリウムを考えます。 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (2)
〜 p型Ga2O3 〜ここからはp型の問題に話を絞る。前コラムのn型ドリフト層の電界分布の議論は、pn接合があることが前提となっている。n型ドリフト層の反対側には高濃度のp型層があり、p型層側にも空乏層が拡がる。n型半導体… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (1)
〜 Ga2O3の魅力 〜近年、SiCやGaNを超える次々世代のパワー半導体材料候補として、酸化ガリウム（Ga2O3）が注目されている。最近の応用物理学会誌2021年5月号にNICTの東脇正高氏の解説が掲載された。また、IEE… 続きを読む →
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酸化ガリウムの課題の記事をアップ
コラム・解説記事に、昨今話題の酸化ガリウムをパワーデバイスとして使う側からみた課題を掲載しました。４回に分けて順次公開します。第一回は序論で、酸化ガリウムが注目を集める理由を解説します 続きを読む →
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コラム記事･解説記事の掲載開始
当組合の活動に関係する科学技術や研究開発動向についてのコラム記事･解説記事の掲載を開始しました。上記メニュー項目からもアクセスいただけます。今後、記事の数を順次増やしていきたいと考えておりますので御期… 続きを読む →
