4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥や、バーシェイプ欠陥と呼ばれている欠陥を含んでいる場合があります。これらの格子欠陥は電力素子の歩留まりに影響を与えます。格子欠陥密度の低減はSiCテク… 続きを読む →

　知っているようで知らない電力エネルギー。いろいろな誤解があるようです。誤解を解いて理解を深める連載、「キロワット」と「キロワット時」。第2回は、具体的なトピックスを題材にして「キロワット」と「キロワ… 続きを読む →

　昨今、エネルギーの観点から電力に対する関心（或いは将来の懸念点と言ってもいいかもしれませんが）が注目を集めるようになっています。しかしながら、今まで発信された関連情報では、全体的なイメージが先行した… 続きを読む →

再生可能エネルギー大量導入に不可欠な高圧直流送電(HVDC)。ワイドギャップパワー半導体デバイスの高耐圧化が進むなか、HVDCにふさわしいパワー半導体デバイスはなにか？半導体の動作原理に従いつつ可能な… 続きを読む →

放射光トポグラフ法の連載((10)をアップロードしました。かつていろいろと議論されたSiCエピウエハ表面の潜傷の問題について放射光トポグラフ法で観察した例について解説しました。放射光トポグラフ法につい… 続きを読む →