4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思います。前回はショックレー変位を伴わない純粋なフラ… 続きを読む →

“「キロワット」で示されている電力と「キロワット時」で示されているいる電力量を混同してはいけません”、という話の第3回目です。今回は各種発電施設の特徴を「設備利用率」という指標から整理し、「キロワット… 続きを読む →

4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれていることがあります。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思います。4H-SiCの四面体層が1層欠… 続きを読む →

4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれていることがあります。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思いますが、その前にショックレー型積層欠… 続きを読む →

4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥や、バーシェイプ欠陥と呼ばれている欠陥を含んでいる場合があります。これらの格子欠陥は電力素子の歩留まりに影響を与えます。格子欠陥密度の低減はSiCテク… 続きを読む →