増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の5回目をアップロードしました。連載のこの回では、それぞれ6つの異なるバーガース・ベクトルを持つ基底面転位が、2種類の異なるすべり面上にある場合、そ… 続きを読む →

増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の4回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCでの基底面転位の構造について、連載(3)では整理しました。連… 続きを読む →

増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の3回目をアップロードしました。 この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCの基底面転位についての説明を連載(1)-(3)でしています… 続きを読む →

増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の2回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCの結晶構造や基底面転位について、連載(1)では整理しました。… 続きを読む →

4H-SiCのMOSFETで発生することがあるon抵抗が増大していく現象は順方向特性劣化と呼ばれています。この現象はn–ドリフト層でショックレー型積層欠陥が増殖・成長することに起因している… 続きを読む →