4H-SiCウエハは現在でもある程度の密度の積層欠陥を含んでいます。基底面に載っている積層欠陥について、それらの種類や解析方について整理してみたいと思います。回折的な手法では観察することができない積層… 続きを読む →

昨今、各種の技術開発において「ロードマップ」が活用されていますが、人によってその解釈が違ったりしてよく誤解のもととなっています。そこで今回、一般的な技術開発ロードマップにおける問題点やその解消策を考察… 続きを読む →

パワエレはインバーターだけではありません。超高耐圧のSiC MOSFETの登場で革新が進む、半導体Marxパルス電源回路の解説を、コラム記事・解説記事に公開しました。 続きを読む →

4H-SiCウエハは現在でも、ある程度の密度の転位を含んでいます。このため、転位の無いSiウエハとはちょっと異なる性質を示します。4H-SiCのウエハに及ぼす転位の影響を簡単にまとめました。その1、そ… 続きを読む →

4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開しています。”その2”では「転位密度がPN接合構造素… 続きを読む →