4H-SiCウエハの加工研磨工程について連載で考察しています。高性能化した加工研磨装置の使い方の組み合わせについての考察です。連載(2)では2段研磨工程での運用の最適化について簡単なモデルで議論しまし… 続きを読む →

3月14~17日に開催された、2025年春の応用物理学会学術講演会で入手した情報から、「2nmノードの半導体を考えた」の内容をアップデートしました。2nmノードでFinFETからナノシートFETへ変わ… 続きを読む →

近年、SiC単結晶を切り出してウエハの形に成形し、エピ層成長のために表面を研磨する装置は高性能化しています。これらの装置は、より高速化、大口径化、高精度化を目指していると思います。今回、これらの高性能… 続きを読む →

　世の中の技術系の教科書には、取り扱う領域を体系的に系統立てて解説していくものが多い。その際、主題に沿った多くの箇所で言及されはするが、独立した主題としては扱われにくいトピックスがしばしば見られる。当… 続きを読む →

高圧直流送電時代を支えるパワー半導体 (1) ~最大損失とスイッチング容量~ では、半導体チップの消費電力の面から、HVDC用途のMMCに使用するパワー半導体デバイスを考察しました。その議論の肝が半導… 続きを読む →