この連載を一旦完結してから４年が過ぎました。その後をフォローする、「連載(5) 〜その後の展開とGa2O3の有望な用途〜」をアップロードしました。連載(4)上梓後の、Ga2O3パワー半導体の研究の進展… 続きを読む →

高価な4H-SiCウエハの加工研磨について、簡単なモデルを用いて定性的な議論及び考察を連載で行っています。ウエハの3段工程での、全加工研磨時間と消耗品費について考察しました。ウエハの加工研磨工程の最適… 続きを読む →

4H-SiCウエハの加工研磨工程について連載で考察しています。高性能化した加工研磨装置の使い方の組み合わせについての考察です。連載(2)では2段研磨工程での運用の最適化について簡単なモデルで議論しまし… 続きを読む →

3月14~17日に開催された、2025年春の応用物理学会学術講演会で入手した情報から、「2nmノードの半導体を考えた」の内容をアップデートしました。2nmノードでFinFETからナノシートFETへ変わ… 続きを読む →

近年、SiC単結晶を切り出してウエハの形に成形し、エピ層成長のために表面を研磨する装置は高性能化しています。これらの装置は、より高速化、大口径化、高精度化を目指していると思います。今回、これらの高性能… 続きを読む →