記事
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放射光トポグラフ法の利用 (5)
〜 4H-SiCの基底面転位の観察 〜放射光ベルク・バレットX線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、格子欠陥の評価解析に興味を持つ人を対象に書いています。前回のその(4)では、g=1128の回折… 続きを読む →
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2nmノードの半導体を考えた
日本の半導体復活を目指す動きが湧き上がり、業界が色々とかまびすしい。経産省の肝入りで昨年設立されたRapidusは、「2nmノードのLSI」の製造を目指すと言っている。2nmノードのトランジスタとはど… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (4)
〜 転位の観察の条件 〜放射光X線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、半導体結晶中の格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象に書いています。転位の観察と解析について書く前に、4H-SiC… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (3)
〜 4H-SiCの転位の整理 〜
放射光X線トポグラフ法を用いた格子欠陥の観察や解析についての解説文を書くことが目的なのですが、その前段階として、4H-SiCの中にある転位についての知識を簡単に整理しておきます。前回のその(2)では転… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (2)
〜 4H-SiCの転位の向きとバーガース・ベクトル 〜放射光X線トポグラフ法を用いた4H-SiCの転位の観察と解析について簡単に説明することがこのコラム・解説の記事ですが、その前に4H-SiC結晶中の転位をどう記述するか、色々な転位をどう区別し仕分けする… 続きを読む →
