この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。放射光X線トポグラフ法で4H-SiCの格子欠陥がどのように観察されるかについての解説は、今回が最後の連載記… 続きを読む →

この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。前回は、4H-SiC中のショックレー型部分転位と、ショックレー型積層欠陥のコントラストについて記述し、ショ… 続きを読む →

この連載記事は、半導体の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。前回から引き続き、4H-SiC中のショックレー型部分転位と、ショックレー型積層欠陥のコントラストについて説明… 続きを読む →

この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。前回まで、放射光ベルクバレットX線トポグラフ法で、4H-SiCウエハ中の基底面転位が、どのようなコントラストを示すか… 続きを読む →

放射光ベルク・バレットX線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象にしています。知恵を使ってトポグラフ像を読み解く簡単な手口を… 続きを読む →