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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (2)
〜 基底面転位ループの構造 〜はじめに 4H-SiC-MOSFETでon-off動作を行なっていると、on抵抗が次第に増大することがあります。この現象を順方向特性劣化と呼んでいます。この解説文は、この現象を克服することに興味を持っ… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (1)
〜 4H-SiCの結晶構造と基底面転位の分解 〜はじめに 4H-SiC-MOSFETを使ってon-off動作を繰り返していると、on抵抗が次第に増大していく現象が観察されることがあります。この現象は順方向特性劣化現象と呼ばれています。4H-SiC-… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (9)
〜 実験結果との比較とまとめ 〜4H-SiCと2H-GaNのフランク型積層欠陥とフランク型部分転位の構造を理解するために、長々と考察しました。フランク型積層欠陥を、欠損したフランク型積層欠陥と余剰なフランク型積層欠陥と2種類に分類し… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (8)
〜 2H-GaNのフランク型積層欠陥との比較 〜はじめに 連載の“その(7)”まで、4H-SiCのフランク型の積層欠陥の構造について考察しました。連載(8)では結晶構造が似ている2H-GaNのフランク型積層欠陥とフランク型部分転位の構造について考察… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (7)
〜 ショックレー変位を伴う余剰フランク型積層欠陥 〜はじめに 連載のその(6)ではショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥の積層構造について考察しました。ショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥を純粋な余剰フランク型積層欠陥と呼ぶことにします。… 続きを読む →
