記事
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4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (3)
〜 3段研磨の最適解 〜3-1. はじめに この記事はSiCウエハの加工・研磨に興味を持つ人を対象に書いています。SiCウエハの切断・研磨工程の統合化された最適条件について考察しています。前回の連載の(2)では、2段研磨の最… 続きを読む →
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4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (2)
〜 2段研磨の最適解についての考察 〜2-1. はじめに SiCウエハの加工研磨工程を統合化した場合の、最適の組み合わせについて考察しています。前回の説明では、2段研磨での、最適条件を導きました。そして、2段研磨についての考察の途中で話が… 続きを読む →
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4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (1)
〜 SiCウエハ研磨の素過程 〜1-1. はじめに SiCは非常に硬い物質として知られ、容易に手に入る物質としては、ダイアモンドに次ぐ硬さだと認識されていています。このように硬い4H-SiC単結晶を切断し、ウエハの形状に成形し、表面… 続きを読む →
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結晶学のトリビア
〜 積層構造としての面心立方構造と最密六方構造 〜半導体結晶の結晶構造を吟味する時、頻繁に登場する概念が面心立方（FCC）構造と六方最密（HCP）構造である。先にアップした“対称性から観た半導体結晶成長の進展”の記事の中でも紹介したように、立方晶結… 続きを読む →
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (4)
〜 三方晶他の半導体結晶の特徴 〜前回の第3回記事では、六方晶系と三方晶系の関係を整理し、HCPベースの六方晶結晶を対象に対称性の違いによる欠陥発生を考察した。それに引き続き今回は三方晶系の結晶と六方晶系の結晶の違い、並びに単斜晶系… 続きを読む →
