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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (11)
〜 n-ドリフト層の上部から侵入する格子欠陥、側面から侵入する格子欠陥 〜はじめに REDG効果によって、n–ドリフト層中の短い基底面転位から積層欠陥が成長する話を連載(8)以降で考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (10)
〜 界面転位と貫通刃状転位との交差 〜はじめに REDG効果によってn–ドリフト層中に存在する基底面転位から、積層欠陥がどのように生成するのかを連載(8)以降で考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、どのような素性の… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (9)
〜 界面転位、U字状転位、貫通刃状転位の折れ曲がりから生成する積層欠陥の成長 〜はじめに 連載(6),(7)では、4H-SiC-MOSFETのn–ドリフト層部分にどのような転位組織が存在しているかを整理しました。これらの転位組織から、どのように積層欠陥が生成するのかを… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (8)
〜 基板から受け継がれる基底面転位が原因になる積層欠陥の生成 〜はじめに 前回までに、4H-SiC-MOSFETのn–ドリフト層部分にどのような転位組織が存在しているかを考察しました。REDG効果によって、これらの転位組織からどのような形状の積層欠陥が… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (7)
〜 4H-SiCのMOSFET中の転位組織2 〜はじめに 4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を続けると、on抵抗が徐々に増大する現象、”順方向特性劣化”が発生することがあります。特性劣化を起こしたMOSFETを放射光トポグラフ法… 続きを読む →
