記事
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (8)
〜 基板から受け継がれる基底面転位が原因になる積層欠陥の生成 〜はじめに 前回までに、4H-SiC-MOSFETのn–ドリフト層部分にどのような転位組織が存在しているかを考察しました。REDG効果によって、これらの転位組織からどのような形状の積層欠陥が… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (7)
〜 4H-SiCのMOSFET中の転位組織2 〜はじめに 4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を続けると、on抵抗が徐々に増大する現象、”順方向特性劣化”が発生することがあります。特性劣化を起こしたMOSFETを放射光トポグラフ法… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」 (4)
〜 電力エネルギーの収支アンバランスが何をもたらすか 〜この連載では、昨今世間で議論になる電力エネルギーの過不足に関する話題を取り上げ、kWとkWhの混同に起因する誤解を紹介してきた。その前提として、電力というものは基本的に貯蔵することが出来ず（大規模電… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (6)
〜 4H-SiCのMOSFET中の転位組織 1 〜はじめに 4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を繰り返すと、on抵抗が増大する現象、”特性劣化”が発生することがあります。特性劣化を起こしたデバイスを放射光トポグラフ法や、顕微PL法… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (5)
〜 基底面転位からのショックレー型積層欠陥の湧き出し2 〜はじめに 4H-SiCのMOSFETのon-offを繰り返していくと発生することがある特性劣化現象に興味を持っている研究者を想定して、この解説の連載を書いています。この現象は特に4H-SiCの格子欠陥… 続きを読む →
