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パワーMOSFETのドリフト層設計
本稿では、パワーMOSFETのドリフト層設計の最適化について考える。おおかたのパワー半導体デバイスの解説では、p+n–接合のn–ドリフト層側に広がる空乏層の電界分布の図を使っ… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (12)
〜 まとめ 〜はじめに Siデバイスの場合、元々のSiウエハ中には転位や積層欠陥などの格子欠陥がほとんど存在していないため、それらを気にすることなくデバイスの作製や利用が可能です。4H-SiCデバイスの場合、SiC… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (11)
〜 n-ドリフト層の上部から侵入する格子欠陥、側面から侵入する格子欠陥 〜はじめに REDG効果によって、n–ドリフト層中の短い基底面転位から積層欠陥が成長する話を連載(8)以降で考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (10)
〜 界面転位と貫通刃状転位との交差 〜はじめに REDG効果によってn–ドリフト層中に存在する基底面転位から、積層欠陥がどのように生成するのかを連載(8)以降で考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、どのような素性の… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (9)
〜 界面転位、U字状転位、貫通刃状転位の折れ曲がりから生成する積層欠陥の成長 〜はじめに 連載(6),(7)では、4H-SiC-MOSFETのn–ドリフト層部分にどのような転位組織が存在しているかを整理しました。これらの転位組織から、どのように積層欠陥が生成するのかを… 続きを読む →
