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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (3)
〜 最密六方構造の半導体結晶の特徴 〜前回の第2回記事では、結晶の対称性の観点から各種半導体結晶の特徴と関連性を概説し、FCCベースの立方晶結晶を対象に対称性の違いによる欠陥発生を考察した。それに引き続き今回はHCPベースの六方晶及び三… 続きを読む →
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (2)
〜 面心立方構造の半導体結晶の特徴 〜前回の第1回記事では、半導体結晶成長技術の重要性と半導体材料の歴史的変遷について触れた後、結晶の対称性の破れが半導体結晶に結晶欠陥をもたらして半導体結晶の特性を損ない、ひいては半導体デバイスチップの… 続きを読む →
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (1)
〜 結晶対称性と結晶欠陥の発生 〜１．はじめに 近年、半導体テクノロジーの重要性が再認識されてきたが、半導体テクノロジーのベースとして、素材としての半導体結晶作成技術は欠くことのできない基幹技術である。「半導体」というと一般的感覚と… 続きを読む →
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パワーMOSFETのドリフト層設計
本稿では、パワーMOSFETのドリフト層設計の最適化について考える。おおかたのパワー半導体デバイスの解説では、p+n–接合のn–ドリフト層側に広がる空乏層の電界分布の図を使っ… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (12)
〜 まとめ 〜はじめに Siデバイスの場合、元々のSiウエハ中には転位や積層欠陥などの格子欠陥がほとんど存在していないため、それらを気にすることなくデバイスの作製や利用が可能です。4H-SiCデバイスの場合、SiC… 続きを読む →
