記事
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4H-SiCウエハに及ぼす転位の影響 (2)
〜 潜傷について 〜市販の4H-SiCエピレディウエハや、研磨会社にCMP(化学機械研磨)を依頼して表面をエピレディの状態にしたウエハの表面を光学顕微鏡で観察すると、平坦で傷の無い綺麗な表面が達成されています。しかしなが… 続きを読む →
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4H-SiCウェハに及ぼす転位の影響 (1)
〜 SiCウェハの変形 〜4H-SiCのウエハ中には転位が含まれています。結晶成長技術の改良により転位密度は年々低下していますが、現在でもある程度の密度の転位を含んでいます。よく知られているようにSiウエハはほぼ無転位です。こ… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (2)
〜 PN接合への転位の影響２ 〜前回の” 4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 その１”では、SiCパワーデバイスに影響を及ぼす転位の効果について、MOS構造での絶縁破壊の効果と、PN接合構造を持つデバイスの逆バイアス時のキ… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (1)
〜 MOS構造絶縁破壊、PN接合への転位の影響１ 〜よく知られているように4H-SiCウエハには転位と呼ばれる線状の格子欠陥をある程度の密度で含んでいます。SiCパワーデバイス研究開始当時はまだSiC結晶中に含まれている転位がパワーデバイスへ及ぼす影響… 続きを読む →
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SiCのFinFET
5/30～6/3にリモート開催されたISPSD2021では、SiCのFinFETがひとつのトピックだった。今日のコラムでは、SiCパワーデバイスにおけるFinFETの意味を考えてみよう。 FinF… 続きを読む →
