記事
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (1)
〜 MOS構造絶縁破壊、PN接合への転位の影響１ 〜よく知られているように4H-SiCウエハには転位と呼ばれる線状の格子欠陥をある程度の密度で含んでいます。SiCパワーデバイス研究開始当時はまだSiC結晶中に含まれている転位がパワーデバイスへ及ぼす影響… 続きを読む →
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SiCのFinFET
5/30～6/3にリモート開催されたISPSD2021では、SiCのFinFETがひとつのトピックだった。今日のコラムでは、SiCパワーデバイスにおけるFinFETの意味を考えてみよう。 FinF… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (4)
〜 p型Ga2O3の回避策：MIS接合 〜半導体上に絶縁膜、金属電極を積層したMIS接合は、電界集中を緩和するフィールドプレート構造としてパワーデバイスで広く用いられている。空乏層のドナーから出る電気力線は絶縁膜を通り抜けて金属電極の電子が受… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (3)
〜 p型Ga2O3の回避策：ショットキー接合 〜前コラムではGa2O3でpn接合をどう実現するかを見てきた。どうしてもpn接合ができなかったら、Ga2O3パワーデバイスの未来は無いのだろうか。プランBを検討してみる。最初の議論に戻ると、肝要な点は、… 続きを読む →
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酸化ガリウムパワーデバイスの課題 (2)
〜 p型Ga2O3 〜ここからはp型の問題に話を絞る。前コラムのn型ドリフト層の電界分布の議論は、pn接合があることが前提となっている。n型ドリフト層の反対側には高濃度のp型層があり、p型層側にも空乏層が拡がる。n型半導体… 続きを読む →
