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4H-SiCの積層欠陥について (1)
〜 1枚のショックレー型積層欠陥 〜4H-SiC結晶中には様々な種類の積層欠陥が報告されています。それらの一部を本文章で整理したいと思います。 “その１”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について述べます。一見同じように見え… 続きを読む →
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R&Dロードマップについての一考察 (1)
〜 標準的ロードマップの解釈上での問題点 〜昨今新規技術の開発において、技術進展の指針としてロードマップが重視されている。通常、この種のロードマップは図1-1に示すように、技術の出口サイドからの要求仕様として、各種の特性指標と時間軸の関係として… 続きを読む →
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半導体Marxパルス電源 (3)
〜 半導体素子の選択指針 〜Marx発生器を設計するときに重要な半導体デバイスの定格をどう選ぶか考える。 充電電圧V0（半導体デバイスの耐圧） 充電電圧V0が高いほどMarx発生器の段数を減らせる。V0の選択は半導体デバイスの耐… 続きを読む →
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半導体Marxパルス電源 (2)
〜 回路動作の詳細 〜前回概説した半導体Marx発生器の回路動作を詳細に見ていこう。まずMarx発生器の基本単位を確認する。図2-1にMarx発生器の回路を一部抜き出した。緑色に着色した部分が、Marxセルと呼ばれる回路の… 続きを読む →
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半導体Marxパルス電源 (1)
〜 超高耐圧SiC MOSFETの新しい応用 〜近年、耐圧10kVを越える超高耐圧SiC MOSFETが一部開発者の手に入るようになってきた。TO-268サイズのコンパクトなパッケージに実装され、プリント基板に直付けできる。定格電流が数A程度と小さ… 続きを読む →
