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高圧直流送電時代を支えるパワー半導体 (1)
〜 最大損失とスイッチング容量 〜高圧直流送電 (HVDC) がニュースなどで話題にのぼるようになってきた。ひとつは、大規模洋上風力発電所と陸上の電力系統を海底ケーブルで結ぶ直流送電に関して、もうひとつは、再生可能エネルギーの主力供… 続きを読む →
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高圧直流送電時代を支えるパワー半導体 (2)
〜 データシートから放熱特性を読み解く 〜連載(1)では、半導体チップの消費電力の面から、HVDC用途のMMCに使用するパワー半導体デバイスを考察した。議論の鍵となっていたのが、半導体チップから取り出せる最大熱流束である。「市販品の設計上の… 続きを読む →
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4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル (4)
〜 積層欠陥の観察 〜4-1.はじめに SiCパワー半導体の研究者が、透過型電子顕微鏡による格子欠陥の観察の依頼をどうするかを考察しています。企業の場合、自社内の分析部門の透過型電子顕微鏡担当者に観察作業をお願いする場合や… 続きを読む →
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4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル (3)
〜 断面観察のつづき、 平面観察、ウイークビーム法 〜3-1.はじめに この連載は、SiCパワエレ研究者が、研究組織の外部にg・b解析法で透過型電子顕微鏡観察を依頼する場合に、観察依頼の仕様をどうすべきかを考察しています。また、一方で、4H-SiCの格子… 続きを読む →
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4H-SiC格子欠陥の透過型電子顕微鏡による観察マニュアル (2)
〜 断面試料の観察 〜2-1.はじめに 透過型電子顕微鏡を用いた4H-SiC結晶の格子欠陥の有無の確認に最も簡単で、効果的な観察方法は、g・b解析法やg・R解析法と呼ばれている手法です。この手法は転位のバーガース・ベクトル… 続きを読む →
