4-1.はじめに SiCパワー半導体の研究者が、透過型電子顕微鏡による格子欠陥の観察の依頼をどうするかを考察しています。企業の場合、自社内の分析部門の透過型電子顕微鏡担当者に観察作業をお願いする場合や… 続きを読む →

3-1.はじめに この連載は、SiCパワエレ研究者が、研究組織の外部にg・b解析法で透過型電子顕微鏡観察を依頼する場合に、観察依頼の仕様をどうすべきかを考察しています。また、一方で、4H-SiCの格子… 続きを読む →

2-1.はじめに 透過型電子顕微鏡を用いた4H-SiC結晶の格子欠陥の有無の確認に最も簡単で、効果的な観察方法は、g・b解析法やg・R解析法と呼ばれている手法です。この手法は転位のバーガース・ベクトル… 続きを読む →

1-1. はじめに 半導体プロセスの研究開発の過程で、透過型電子顕微鏡観察を必要とすることがあります。よくある利用目的は、新しく開発した半導体プロセスで、転位などの格子欠陥を新たに生成していないか、格… 続きを読む →

6-1. はじめに この連載の文章はSiCウエハの加工研磨に興味を持っている人を対象に書いています。近年、個々のSiCウエハの研磨装置の開発や、利用方法の改良などによってSiCウエハの加工研磨の高速化… 続きを読む →