記事
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高圧直流送電時代を支えるパワー半導体 (2)
〜 データシートから放熱特性を読み解く 〜連載(1)では、半導体チップの消費電力の面から、HVDC用途のMMCに使用するパワー半導体デバイスを考察した。議論の鍵となっていたのが、半導体チップから取り出せる最大熱流束である。「市販品の設計上の… 続きを読む →
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (4)
〜 三方晶他の半導体結晶の特徴 〜前回の第3回記事では、六方晶系と三方晶系の関係を整理し、HCPベースの六方晶結晶を対象に対称性の違いによる欠陥発生を考察した。それに引き続き今回は三方晶系の結晶と六方晶系の結晶の違い、並びに単斜晶系… 続きを読む →
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (3)
〜 最密六方構造の半導体結晶の特徴 〜前回の第2回記事では、結晶の対称性の観点から各種半導体結晶の特徴と関連性を概説し、FCCベースの立方晶結晶を対象に対称性の違いによる欠陥発生を考察した。それに引き続き今回はHCPベースの六方晶及び三… 続きを読む →
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (2)
〜 面心立方構造の半導体結晶の特徴 〜前回の第1回記事では、半導体結晶成長技術の重要性と半導体材料の歴史的変遷について触れた後、結晶の対称性の破れが半導体結晶に結晶欠陥をもたらして半導体結晶の特性を損ない、ひいては半導体デバイスチップの… 続きを読む →
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対称性から観た半導体エピタキシャル結晶成長 (1)
〜 結晶対称性と結晶欠陥の発生 〜１．はじめに 近年、半導体テクノロジーの重要性が再認識されてきたが、半導体テクノロジーのベースとして、素材としての半導体結晶作成技術は欠くことのできない基幹技術である。「半導体」というと一般的感覚と… 続きを読む →
