投稿者: 松畑洋文
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(12)をアップロードしました。
SiCのMOSFETを利用していると、on抵抗が増加していく現象が観察されることがあります。これは、利用中にSiC-MOSFETのn–ドリフト層中で、たくさんのショックレー型積層欠陥が成長… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (12)
〜 まとめ 〜はじめに Siデバイスの場合、元々のSiウエハ中には転位や積層欠陥などの格子欠陥がほとんど存在していないため、それらを気にすることなくデバイスの作製や利用が可能です。4H-SiCデバイスの場合、SiC… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(11)をアップロードしました。
REDG効果によって、成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の素性がわかります。基底面転位の素性がわかれば、デバイスプロセスの改良が可能かもしれません。連載(11)では、n&… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (11)
〜 n-ドリフト層の上部から侵入する格子欠陥、側面から侵入する格子欠陥 〜はじめに REDG効果によって、n–ドリフト層中の短い基底面転位から積層欠陥が成長する話を連載(8)以降で考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、積層欠陥の成長原因の基底面転位の… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(10)をアップロードしました。
REDG効果によってn–ドリフト層中に存在する基底面転位から、積層欠陥がどのように生成するのかを考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、どのような素性の基底面転位が積層欠陥の原因… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (10)
〜 界面転位と貫通刃状転位との交差 〜はじめに REDG効果によってn–ドリフト層中に存在する基底面転位から、積層欠陥がどのように生成するのかを連載(8)以降で考察しています。成長した積層欠陥の形状を調べると、どのような素性の… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(9)をアップロードしました。
連載(9)では、界面転位が発生した場合、界面転位の表面終端部がばらまいたU字状転位が存在している場合、貫通刃状転位のドリフト層中での折れ曲がりが発生した場合、などが原因で積層欠陥が成長する場合に、どの… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (9)
〜 界面転位、U字状転位、貫通刃状転位の折れ曲がりから生成する積層欠陥の成長 〜はじめに 連載(6),(7)では、4H-SiC-MOSFETのn–ドリフト層部分にどのような転位組織が存在しているかを整理しました。これらの転位組織から、どのように積層欠陥が生成するのかを… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(8)をアップロードしました。
連載(8)では、基板中に存在していた基底面転位が、ドリフト層中へ少しだけ入り込んでしまった場合、どのような形状のショックレー型積層欠陥が成長するかを考察しました。連載(8)とこの連載(8)以降は、MO… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (8)
〜 基板から受け継がれる基底面転位が原因になる積層欠陥の生成 〜はじめに 前回までに、4H-SiC-MOSFETのn–ドリフト層部分にどのような転位組織が存在しているかを考察しました。REDG効果によって、これらの転位組織からどのような形状の積層欠陥が… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(7)をアップロードしました。
連載(6)から、n–ドリフト層中に侵入してくる基底面転位にはどのようなものがあるのかを考察しています。n–ドリフト層の下側、つまり[0001]方向から入ってくる基底面転位、L字… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (7)
〜 4H-SiCのMOSFET中の転位組織2 〜はじめに 4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を続けると、on抵抗が徐々に増大する現象、”順方向特性劣化”が発生することがあります。特性劣化を起こしたMOSFETを放射光トポグラフ法… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(6)をアップロードしました。
“増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化”の連載の6回目をアップロードしました。前回までの連載では、基底面転位のバーガース・ベクトル、基底面転位が存在している四面体層、… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (6)
〜 4H-SiCのMOSFET中の転位組織 1 〜はじめに 4H-SiCでMOSFETを作製して、on-off動作を繰り返すと、on抵抗が増大する現象、”特性劣化”が発生することがあります。特性劣化を起こしたデバイスを放射光トポグラフ法や、顕微PL法… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(5)をアップロードしました。
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の5回目をアップロードしました。連載のこの回では、それぞれ6つの異なるバーガース・ベクトルを持つ基底面転位が、2種類の異なるすべり面上にある場合、そ… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (5)
〜 基底面転位からのショックレー型積層欠陥の湧き出し2 〜はじめに 4H-SiCのMOSFETのon-offを繰り返していくと発生することがある特性劣化現象に興味を持っている研究者を想定して、この解説の連載を書いています。この現象は特に4H-SiCの格子欠陥… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(4)をアップロードしました。
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の4回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCでの基底面転位の構造について、連載(3)では整理しました。連… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (4)
〜 基底面転位からのショックレー型積層欠陥の湧き出し1 〜はじめに この解説文は、4H-SiCの順方向特性劣化現象に興味を持っている研究者を想定して書いています。この現象は特に4H-SiCの格子欠陥と密接な関係にあります。SiCパワーエレクトロニクス研究者に… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(3)をアップロードしました。
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の3回目をアップロードしました。 この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCの基底面転位についての説明を連載(1)-(3)でしています… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (3)
〜 基底面転位ループのバリエーション 〜はじめに この解説文は、4H-SiCの“順方向特性劣化”に興味を持っている人を対象に書いています。SiCパワーエレクトロニクス研究者にとってはそれなりに興味のある内容だと思われますが、少し細かい話を詳… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(2)をアップロードしました。
増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化の連載の2回目をアップロードしました。この連載を進める上で必要になる基礎的な知識、4H-SiCの結晶構造や基底面転位について、連載(1)では整理しました。… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (2)
〜 基底面転位ループの構造 〜はじめに 4H-SiC-MOSFETでon-off動作を行なっていると、on抵抗が次第に増大することがあります。この現象を順方向特性劣化と呼んでいます。この解説文は、この現象を克服することに興味を持っ… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化(1)をアップロードしました。
4H-SiCのMOSFETで発生することがあるon抵抗が増大していく現象は順方向特性劣化と呼ばれています。この現象はn–ドリフト層でショックレー型積層欠陥が増殖・成長することに起因している… 続きを読む →
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増殖・成長する積層欠陥とMOSFETの特性劣化 (1)
〜 4H-SiCの結晶構造と基底面転位の分解 〜はじめに 4H-SiC-MOSFETを使ってon-off動作を繰り返していると、on抵抗が次第に増大していく現象が観察されることがあります。この現象は順方向特性劣化現象と呼ばれています。4H-SiC-… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(9)をアップロードしました。
4H-SiCや2H-GaN結晶中で観察されるフランク型積層欠陥の構造についての考察を連載で解説してきました。今回は最終回です。この連載(9)で一連の連載は終了です。連載の文章のご精読ありがとうございま… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (9)
〜 実験結果との比較とまとめ 〜4H-SiCと2H-GaNのフランク型積層欠陥とフランク型部分転位の構造を理解するために、長々と考察しました。フランク型積層欠陥を、欠損したフランク型積層欠陥と余剰なフランク型積層欠陥と2種類に分類し… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(8)をアップロードしました。
前回まで、4H-SiCの基板やエピ層中に含まれるフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥の構造について考察しました。今回は4H-SiCの結晶構造とよく似た2H-GaN中のフランク型積層欠陥の構造を考察… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (8)
〜 2H-GaNのフランク型積層欠陥との比較 〜はじめに 連載の“その(7)”まで、4H-SiCのフランク型の積層欠陥の構造について考察しました。連載(8)では結晶構造が似ている2H-GaNのフランク型積層欠陥とフランク型部分転位の構造について考察… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(7)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察しています。前回は、四面体層１層が余剰に挿入され、さらにショ… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (7)
〜 ショックレー変位を伴う余剰フランク型積層欠陥 〜はじめに 連載のその(6)ではショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥の積層構造について考察しました。ショックレー変位の無い余剰フランク型積層欠陥を純粋な余剰フランク型積層欠陥と呼ぶことにします。… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(6)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察しています。今回は、四面体層１層が余剰に挿入されたフランク型… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (6)
〜 ショックレー変位を伴わない余剰のフランク型積層欠陥 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に書いています。前回までは、4H-SiCの結晶で欠損したフランク型積層欠陥の場合について考察しました。今回は、四面体層が1層、… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(5)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察しています。前回はショックレー変位を伴うフランク型積層欠陥を… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (5)
〜 ショックレー変位を伴う欠損したフランク型部分転位の構造2 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に書いています。前回の連載で、ショックレー変位を伴うフランク型積層欠陥を考察しました。この積層欠陥は、純粋なフランク型積層欠陥… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(4)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれています。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思います。前回はショックレー変位を伴わない純粋なフラ… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (4)
〜 ショックレー変位を伴う欠損したフランク型積層欠陥1 〜はじめに この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして解説を書いています。前回では、4H-SiCの欠損したフランク型積層欠陥とその縁に位置するフランク型部分転位の構造を考察し… 続きを読む →
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「キロワット」と「キロワット時」 (3)
〜 設備利用率で考える 〜地球温暖化についての意識の高まりや、東日本大震災に伴う原子力発電所での事故、電力市場の自由化、などに伴い日本の電力ネットワークに大きな変化が生じています。さらに、ウクライナ情勢に起因するエネルギーの自… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(3)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれていることがあります。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思います。4H-SiCの四面体層が1層欠… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (3)
〜 4H-SiCの欠損したフランク型積層欠陥 〜フランク型積層欠陥とは この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。フランク型積層欠陥の構造について考察し、この積層欠陥の構造について整理することがこの連載の目… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(2)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥と呼ばれている格子欠陥が含まれていることがあります。この積層欠陥がどういう欠陥なのかをこの連載では考察したいと思いますが、その前にショックレー型積層欠… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (2)
〜 ショックレー型積層欠陥の記述について 〜はじめに この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価や4H-SiCの結晶構造に興味を持つ人を対象にして書いています。少し詳細な内容を、冗長な文章で記述しています。 前回の文章では、4H-SiCの基底面… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥連載(1)をアップロードしました。
4H-SiCの基板やエピ層中にはフランク型積層欠陥や、バーシェイプ欠陥と呼ばれている欠陥を含んでいる場合があります。これらの格子欠陥は電力素子の歩留まりに影響を与えます。格子欠陥密度の低減はSiCテク… 続きを読む →
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SiCのフランク型積層欠陥 (1)
〜 SiCの掟 〜4H-SiCのフランク型部分転位、フランク型積層欠陥についての考察への導入 この連載記事は、SiCの格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。4H-SiCのウエハを放射光X線トポグラフ… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(10)をアップロードしました
放射光トポグラフ法の連載((10)をアップロードしました。かつていろいろと議論されたSiCエピウエハ表面の潜傷の問題について放射光トポグラフ法で観察した例について解説しました。放射光トポグラフ法につい… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (10)
〜 潜傷の観察 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。放射光X線トポグラフ法で4H-SiCの格子欠陥がどのように観察されるかについての解説は、今回が最後の連載記… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(9)をアップロードしました
放射光トポグラフ法の連載(9)をアップロードしました。フランク型積層欠陥、フランク型部分転位のコントラスト、見え方について解説しました。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (9)
〜 フランク型積層欠陥について 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。前回は、4H-SiC中のショックレー型部分転位と、ショックレー型積層欠陥のコントラストについて記述し、ショ… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(8)をアップロードしました
放射光トポグラフ法(8)の解説記事をアップロードしました。結晶性材料を産業化する際に格子欠陥が問題になる時に使える技術かもしれません。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (8)
〜 積層欠陥のコントラストルールとステルスな積層欠陥 〜この連載記事は、半導体の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象に連載記事として書いています。前回から引き続き、4H-SiC中のショックレー型部分転位と、ショックレー型積層欠陥のコントラストについて説明… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(7)をアップロードしました
放射光トポグラフ法の連載(7)を新たにアップロードしました。ショックレー型部分転位、ショックレー型積層欠陥のコントラストについての説明を行いました。SiCの研究等で放射光を利用する際には参考になるかも… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (7)
〜 ショックレー型積層欠陥、積層欠陥の変位ベクトルR 〜この連載記事は、半導体中の格子欠陥の解析評価に興味を持つ人を対象にして書いています。前回まで、放射光ベルクバレットX線トポグラフ法で、4H-SiCウエハ中の基底面転位が、どのようなコントラストを示すか… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(6)をアップロードしました
放射光トポグラフ法の連載(6)を新たにアップロードしました。今回は、SiCの貫通転位のコントラストについての解説です。SiCの研究等で放射光を利用する際には参考になるかもしれません。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (6)
〜 貫通転位の観察 〜放射光ベルク・バレットX線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象にしています。知恵を使ってトポグラフ像を読み解く簡単な手口を… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (5)
〜 4H-SiCの基底面転位の観察 〜放射光ベルク・バレットX線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、格子欠陥の評価解析に興味を持つ人を対象に書いています。前回のその(4)では、g=1128の回折… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(5)をアップロードしました
放射光を利用したX線トポグラフ法について連載で解説しています。今回は連載の(5)です。4H-SiCの基底面転位のコントラストについて解説しています。4H-SiC以外の物質や他の結晶性材料の産業化の段階… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(4)をアップロードしました
放射光を用いたX線トポグラフ法についての解説記事の連載その(4)をアップロードしました。低角で表面にX線を入射させ、回折X線を利用して格子欠陥を観察する手法そのものを簡単に説明しました。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (4)
〜 転位の観察の条件 〜放射光X線トポグラフ法による転位の観察についての解説文を連載で書いています。この解説文は、半導体結晶中の格子欠陥の評価に興味を持つ人を対象に書いています。転位の観察と解析について書く前に、4H-SiC… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(3)をアップロードしました
放射光を使ったX線トポグラフ法は、使う目的によっては利用価値があると思っています。この方法についての解説記事を連載で書いています。格子欠陥の評価に興味があるかたは、読んでいただくとありがたいです。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (3)
〜 4H-SiCの転位の整理 〜放射光X線トポグラフ法を用いた格子欠陥の観察や解析についての解説文を書くことが目的なのですが、その前段階として、4H-SiCの中にある転位についての知識を簡単に整理しておきます。前回のその(2)では転… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (2)
〜 4H-SiCの転位の向きとバーガース・ベクトル 〜放射光X線トポグラフ法を用いた4H-SiCの転位の観察と解析について簡単に説明することがこのコラム・解説の記事ですが、その前に4H-SiC結晶中の転位をどう記述するか、色々な転位をどう区別し仕分けする… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の連載(2)の解説をアップロードしました
4H-SiCのウエハ、エピ層、パワーデバイス中の格子欠陥を放射光X線トポグラフで観察することについての解説記事を連載で書いています。連載その(2)を投稿しました。興味がある方は読んでみてください。 続きを読む →
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放射光トポグラフ法についての記事をコラム･解説にアップロードしました
私は2005年から2015年までの10年間、放射光を用いたベルク・バレットX線回折トポグラフ法を用いてSiCのウエハ、エピ層、パワーデバイス中の格子欠陥の解析を行いました。この手法を使ってみて、これは… 続きを読む →
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放射光トポグラフ法の利用 (1)
〜 SiCテクノロジーの中での放射光X線トポグラフ法の位置づけ 〜はじめに 「SiC待ったなし、EV大競争で需要爆発」との多少煽り気味の見出しが付けられた日経エレクトロニクス誌2022年9月号では、車載用のSiCインバーターの大量生産時代到来の予測について特集されて… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (4)
〜 SiCエピタキシー層中のキャロット状欠陥の構造 〜前回まで エピ層成長中に生成する欠陥やエピ層膜表面で観察される欠陥のSEM像の紹介を行いました。今回”その(4)“でエピ層欠陥のSEM像紹介のシリーズは終了です。今回は、キャロットと呼ばれている特殊な… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (3)
〜 鈍角三角形欠陥、マイクロピット、マイクロパイプ 〜“その(1)”では主に格子欠陥がエピ層表面で終端する際に形成される表面モフォロジーについて紹介しました。”その(2)”では、何らかのきっかけで4H-SiCのエピ層成長中に局所的に3C構造を持つエピ欠陥… 続きを読む →
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SiCエピ欠陥のSEM像の記事をアップ
4H-SiCウエハのエピタキシー層の表面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察すると、エピ欠陥と呼ばれている色々な欠陥を観察することができます。エピ欠陥は4H-SiCパワーデバイスの歩留まりに大きな影響を… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (2)
〜 局所的な3C-SiCの成長 〜“その(1)”では転位や積層欠陥がエピ層表面で終端している場所のSEM像を紹介しました。”その(1)”で述べたように、六方晶の結晶構造を持つ4H-SiCのエピ層中に何らかの理由で局所的に立方晶構造の3… 続きを読む →
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SiCエピタキシー欠陥のSEM観察 (1)
〜 転位や積層欠陥のエピ層表面終端部の凹凸の観察 〜はじめに 簡単な結晶構造を持つSiでは、欠陥のない綺麗なエピタキシー層の成長が達成されていて、Siのデバイス構造はこの問題のないエピタキシー成長層に作りつけられています。しかしながら、結晶構造がほんの… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (4)
〜 4H-SiCの逆格子点の逆格子空間中の配置 〜透過型電子顕微鏡法や、X線トポグラフ法などを用いて、結晶中の転位や、積層欠陥などの素性を調べる際に、回折を起こす反射を変えながら欠陥のコントラストの変化を観察する手法、g・b 解析あるいはg… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (3)
〜 ショックレー型とフランク型積層欠陥の区別 〜“4H-SiCの積層欠陥(１)”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について、そのショックレー型積層欠陥がいくつかに分類されることを述べました。“4H-SiCの積層欠陥(2)”ではショックレ… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥の記事をアップ
4H-SiCウエハは現在でもある程度の密度の積層欠陥を含んでいます。基底面に載っている積層欠陥について、それらの種類や解析方について整理してみたいと思います。回折的な手法では観察することができない積層… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (2)
〜 多層枚ショックレー型積層欠陥 〜“4H-SiCの積層欠陥(１)”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について、そのショックレー型積層欠陥がいくつかに分類されることを述べまました。“その２”ではショックレー型積層欠陥が複数枚… 続きを読む →
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4H-SiCの積層欠陥について (1)
〜 1枚のショックレー型積層欠陥 〜4H-SiC結晶中には様々な種類の積層欠陥が報告されています。それらの一部を本文章で整理したいと思います。 “その１”ではショックレー型積層欠陥が1枚導入された場合について述べます。一見同じように見え… 続きを読む →
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4H-SiCウェハに及ぼす転位の効果の記事をアップ
4H-SiCウエハは現在でも、ある程度の密度の転位を含んでいます。このため、転位の無いSiウエハとはちょっと異なる性質を示します。4H-SiCのウエハに及ぼす転位の影響を簡単にまとめました。その1、そ… 続きを読む →
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4H-SiCウエハに及ぼす転位の影響 (2)
〜 潜傷について 〜市販の4H-SiCエピレディウエハや、研磨会社にCMP(化学機械研磨)を依頼して表面をエピレディの状態にしたウエハの表面を光学顕微鏡で観察すると、平坦で傷の無い綺麗な表面が達成されています。しかしなが… 続きを読む →
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4H-SiCウェハに及ぼす転位の影響 (1)
〜 SiCウェハの変形 〜4H-SiCのウエハ中には転位が含まれています。結晶成長技術の改良により転位密度は年々低下していますが、現在でもある程度の密度の転位を含んでいます。よく知られているようにSiウエハはほぼ無転位です。こ… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果の第２回をアップ
4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開しています。”その2”では「転位密度がPN接合構造素… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (2)
〜 PN接合への転位の影響２ 〜前回の” 4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 その１”では、SiCパワーデバイスに影響を及ぼす転位の効果について、MOS構造での絶縁破壊の効果と、PN接合構造を持つデバイスの逆バイアス時のキ… 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果の記事をアップ
4H-SiCパワーデバイスの研究開発当初、色々と話題となっていた、4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の効果をコラム・解説記事に簡単にまとめて公開します。２回に分けて順次公開します。 続きを読む →
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4H-SiCパワーデバイスに及ぼす転位の影響 (1)
〜 MOS構造絶縁破壊、PN接合への転位の影響１ 〜よく知られているように4H-SiCウエハには転位と呼ばれる線状の格子欠陥をある程度の密度で含んでいます。SiCパワーデバイス研究開始当時はまだSiC結晶中に含まれている転位がパワーデバイスへ及ぼす影響… 続きを読む →
