放射光トポグラフ法の連載(7)を新たにアップロードしました。ショックレー型部分転位、ショックレー型積層欠陥のコントラストについての説明を行いました。SiCの研究等で放射光を利用する際には参考になるかもしれません。
〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜
Innovative Semiconductors, Electronics, & Energy Solutions
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図2-4 FCC、HCP構造内の正四面体構造と正八面体構造。その重心位置には空孔があり、原子を配置できる。
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