〜 イノベイティブな半導体、エレクトロニクス、エネルギー技術のソルーション 〜

Innovative Semiconductors, Electronics, & Energy Solutions

メンバー紹介:奥村 元

【現在】
    • 有限責任事業組合「アイシーソルーションズ」代表
    • 国立研究開発法人産業技術総合研究所 名誉リサーチャー
    • 国立大学法人筑波大学 名誉連携教授
【学位】 工学博士(大阪大学)
【学歴・職歴】
    • 1981年3月 京都大学大学院理学研究科 化学専攻修士課程修了
    • 1981年4月〜2001年3月 通商産業省工業技術院 電子技術総合研究所勤務
        • この間、
        •  フランス、グルノーブル第1大学物理分光学研究所 客員研究員(フランス政府給費留学)
        • 工業技術院総務部産業科学技術研究開発室 研究開発官(電子通信情報)付き併任
        •  (財)新機能素子研究開発協会 研究開発部長、企画室長出向
    • 2001年4月〜2021年3月 国立研究開発法人 産業技術総合研究所勤務
      • 2001年4月〜2008年3月 パワーエレクトロニクス研究センター (研究センター長代行、主幹研究員)
      • 2008年4月〜2010年3月 エネルギー半導体エレクトロニクス研究ラボ長
      • 2010年4月〜2020年3月 先進パワーエレクトロニクス研究センター長
        • この間、
        • 企業共同研究連合体 つくばパワーエレクトロニクスコンステレーション(TPEC) 組織長
    • 2021年4月〜2023年3月 国立研究開発法人 産業技術総合研究所 先進パワーエレクトロニクス研究センター 客員研究員
【外部貢献】
    • 有限責任事業組合「エシキャット・ジャパン」 Chief Research Officer (CRO)
    • 国立大学法人埼玉大学大学院理工学研究科 連携教授
    • 東京理科大学理工学研究科 客員教授
    • 国立大学法人筑波大学大学院数理物質科学研究科 連携教授
    • NEDOプロジェクト「窒化物半導体を用いた低消費電力型高周波デバイスの開発」 サブプロジェクトリーダー
    • METI/NEDOプロジェクト「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス技術開発/新材料パワー半導体プロジェクト」 プロジェクトリーダー
    • CSTI/NEDO SIPプロジェクト「次世代パワーエレクトロニクス/SiC次世代パワーエレクトロニクスの統合的研究開発」 テーマリーダー、等国家プロジェクト関連リーダー歴任
    • 通商産業省 産業技術戦略策定基盤調査「化合物半導体分野の技術連絡策定委員会」委員
    • 新エネルギー産業技術総合開発機構 「高出力高周波デバイス技術基本検討委員会」委員
    • 同「ナノエレクトロニクス半導体新材料・新構造技術開発-窒化物系化合物半導体基板・エピタキシャル成長技術の開発」技術推進委員会」委員 
    • 特許庁「特許出願技術動向調査委員会- GaNパワーデバイス -」委員長
    • 新エネルギー産業技術総合開発機構「省エネルギー技術戦略2018検討委員会」委員
    • 経済産業省安全保障貿易調査員、等政府系委員歴任
    • 応用物理学会 講演会企画運営委員会委員、SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会(現 先進パワー半導体分科会)代表幹事
    • J.Appl.Phys. 編集委員、論文賞選考委員
    • 日本学術振興会 ワイドギャップ半導体光・電子デバイス第162委員会 運営委員、等学会関連委員歴任
【専門分野】
    • 材料科学
    • 化合物半導体、特にワイドギャップ半導体の結晶成長とデバイス応用(ワイドギャップ半導体パワーエレクトロニクス)
成果実績(外部発表、知財、等)
    • 誌上発表原著論文:500報以上
    • 解説記事:24件
    • 特許出願:35件

 

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