アイシーソルーションズ, LLP

近年、SiC単結晶を切り出してウエハの形に成形し、エピ層成長のために表面を研磨する装置は高性能化しています。これらの装置は、より高速化、大口径化、高精度化を目指していると思います。今回、これらの高性能化した装置の使い方を考察したいと思い、4H-SiCウエハの加工研磨の最適化 (1)をアップロードしました。特に、ウエハの加工研磨工程を統合化してウエハ成形を行う際の最適化について、一つの提案を一連の連載で述べたいと思います。これらの考察が、ウエハ加工技術の発展の活性化に繋がればと思います。