結晶欠陥の発生は結晶本来の対称性を崩し、半導体結晶ではそれを用いて作製される半導体デバイスの理想的特性を損なう事が知られている。本連載記事では、現在までに実用化された或いは実用化に向けて研究開発が進行中の半導体材料間の共通性や相違点を、特に結晶の対称性（平行移動や回転操作で結晶全体が重なるかどうか）、並びにエピタキシャル成長を軸とした結晶成長に伴う結晶欠陥発生の観点から独自の視点も含めて比較していく。
前回の連載第２回の記事では、シリコン（Si）やガリウム砒素（GaAs）に代表される立方晶の半導体材料のエピタキシャル成長における結晶欠陥発生を結晶対称性の観点から紹介したが、今回の第３回記事では六方晶の半導体材料に関して同様の議論を進める。
